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场效应MOS管FDU8878参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:40AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.015ΩVRDS(ON)ld通态电流:35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.2~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDU8878是一款性能优越的功率MOSFET,广泛应用于各类电源管理和转换设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源适配器:FDU8878在电源适配器中能够有效提升效率并降低能量损耗,适用于各种需要高效运行的设备。

    2. 开关电源:在开关电源中,FDU8878表现优异,能够显著提高转换效率,减少开关损耗。

    3. DC-DC转换器:FDU8878在DC-DC转换器中同样表现出色,能够满足高效能和高功率密度的需求。

    4. 工业自动化设备:在各种工业自动化设备如伺服驱动器和变频器中,FDU8878能够提供稳定的功率管理,保证设备的可靠运行。

    5. 通信设备:FDU8878还适用于通信设备中的基站电源,能够在高压环境下稳定工作,提供高效的电源管理。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDU8878的低导通电阻使其在工作过程中产生的能量损耗较低,提升了整体电路的效率。

    - 高击穿电压(VDSS):FDU8878具有较高的击穿电压,能够在高压环境下稳定工作,适用于各种需要耐高压的应用场景。

    - 快速开关特性:FDU8878的快速开关特性使其在高频应用中表现优异,能够有效减少开关损耗,提升转换效率。

    - 优越的热性能:FDU8878在设计上优化了热管理性能,能够在高温环境下保持稳定运行,减少因过热引起的故障风险。

    - 标准封装形式:FDU8878采用标准封装形式,便于集成到各种电路板中,且其小巧的体积有助于缩减设备的整体尺寸。

    综上所述,FDU8878凭借其低导通电阻、高击穿电压、快速开关特性和优越的热性能,成为电源管理和转换设备中的理想选择。在未来的技术发展中,FDU8878有望在更广泛的应用领域中发挥其独特优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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