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场效应MOS管FDU6N25参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:4.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:1.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDU6N25是一款广泛应用于各种电源管理和功率转换应用中的N沟道MOSFET。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源适配器:FDU6N25通常用于笔记本电脑、电动工具和便携式设备的电源适配器中。其高效的功率转换能力确保了设备在各种负载条件下稳定工作。

    2. DC-DC转换器:在高效的DC-DC转换器中,FDU6N25能够提供低导通电阻和快速开关特性,这对于提高整体能效和减少热损耗至关重要。

    3. 逆变器:在太阳能逆变器和UPS系统中,FDU6N25被广泛应用于逆变电路中,其可靠性和高电流承载能力使其成为这些系统的理想选择。

    4. 电机驱动器:FDU6N25也被用于电机驱动器中,特别是在电动汽车和工业自动化设备中。其高耐压和高电流能力使其能够有效控制电机的启动和运行。

    5. 电池管理系统:在锂离子电池管理系统中,FDU6N25可以用于电池保护电路和充放电控制电路,提供可靠的过流保护和电压调节功能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDU6N25的典型导通电阻仅为0.25Ω,这意味着在导通状态下它的功耗较低,有助于提高整体电路的能效。

    - 高耐压能力:该器件的漏源极击穿电压(Vdss)为600V,适用于高电压应用,确保在高压条件下的安全可靠运行。

    - 高电流能力:FDU6N25的连续漏极电流(Id)为6A,能够处理较大的电流负载,这对于高功率应用非常重要。

    - 快速开关速度:其开关特性优异,具有低栅极电荷(Qg)和低反向恢复电荷(Qrr),这使得FDU6N25在高频应用中能够迅速响应,提高电路效率。

    - 热性能优越:FDU6N25具有较低的热阻(Rthjc),有助于散热管理,确保器件在高功率运行时保持稳定的工作温度。

    综上所述,FDU6N25凭借其低导通电阻、高耐压和高电流能力、快速开关速度以及优越的热性能,成为各种电源管理和功率转换应用中的理想选择。这些特点使得它在电源适配器、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和电池管理系统等领域得到了广泛的应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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