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场效应MOS管FDU6796A参数

PD最大耗散功率:42WID最大漏源电流:40AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.0057ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDU6796A是一种高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FDU6796A因其低导通电阻和高开关速度而被广泛使用。它能有效降低功耗,提高电源转换效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电机控制和电池管理系统中,FDU6796A的高电流承载能力和耐高压特性使其成为理想选择。它能够承受高电流冲击并保持稳定的性能。

    3. 太阳能逆变器:FDU6796A在太阳能逆变器中的应用尤为重要。其高效的开关特性可以提高太阳能电池板的能量转换效率,从而提升整体系统的性能。

    4. 消费电子产品:在笔记本电脑、智能手机等消费电子产品中,FDU6796A常用于电源管理模块,提供稳定可靠的电源供应。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,FDU6796A被用于驱动电机和控制器,提供高效稳定的电流控制,确保设备的正常运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDU6796A的导通电阻非常低,典型值为4.5mΩ,这使得它在导通状态下的功耗极低,有助于提高系统的整体效率。

    - 高电流承载能力:FDU6796A能够承载高达120A的连续电流,适用于需要大电流驱动的应用场景,如电动汽车和工业控制系统。

    - 高耐压性:FDU6796A的击穿电压高达60V,能够在较高电压环境下稳定工作,确保系统的可靠性和安全性。

    - 快速开关速度:FDU6796A具有极快的开关速度,这对于高频开关应用尤为重要,能够显著降低开关损耗,提高电源转换效率。

    - 良好的热性能:FDU6796A采用了先进的封装技术,具有优异的散热性能。在高功率应用中能够有效降低器件温度,延长其使用寿命。

    通过以上详细介绍可以看出,FDU6796A在多个应用领域中都展现了其优异的性能和广泛的适用性。其低导通电阻、高电流承载能力和高耐压性,使得FDU6796A成为许多高性能电子设备的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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