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场效应MOS管FDU6780A参数

PD最大耗散功率:32.6WID最大漏源电流:30AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.0086ΩVRDS(ON)ld通态电流:16.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDU6780A是一款高效能的N沟道MOSFET,广泛应用于多种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源(SMPS)中,FDU6780A凭借其低导通电阻和快速开关特性,可以有效提高电源效率,减少能量损耗,从而延长设备的使用寿命。

    2. 电机驱动:在电机驱动控制系统中,FDU6780A由于其出色的导通性能和耐压特性,能够提供稳定的电流输出,保证电机的平稳运行,广泛用于电动工具、电动车等领域。

    3. 光伏逆变器:FDU6780A在光伏逆变器中也发挥着重要作用,其高效率和低损耗特性有助于提高光伏系统的整体转换效率,减少热量产生,增加系统的可靠性。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FDU6780A能够有效管理电流转换和电压调节,确保系统在电源波动或中断时仍能提供稳定的电力供应,保护重要设备。

    5. 电池管理系统(BMS):FDU6780A用于电池管理系统时,可以优化充放电过程,延长电池寿命,同时其低导通电阻特性能够减少电池的内耗,提高系统的整体效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDU6780A的导通电阻非常低,仅为几毫欧姆,能够显著降低导通损耗,提高整体电路的效率。

    - 高击穿电压:该器件的击穿电压高达60V,使其能够在高压环境下稳定工作,不易损坏,增加了系统的可靠性。

    - 快速开关速度:FDU6780A具备快速的开关速度,能够在短时间内完成开关操作,减少开关损耗,适合高频率的开关应用。

    - 高电流处理能力:其最大连续漏极电流可达80A,能够处理大电流负载,适用于需要高功率传输的应用场景。

    - 热性能优越:FDU6780A设计有良好的热性能,能够有效散热,降低器件工作时的温度,提高工作稳定性和寿命。

    综上所述,FDU6780A凭借其低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度、高电流处理能力以及优越的热性能,成为开关电源、电机驱动、光伏逆变器、UPS和电池管理系统等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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