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场效应MOS管FDU6680A参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:56AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0095ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDU6680A是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效电力转换和控制的领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FDU6680A作为主开关管,能够高效地进行电能转换,提升电源效率,减少能量损耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,FDU6680A能够承受较大的电流和电压变化,提供稳定的电源控制,确保电机平稳运行。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FDU6680A用于逆变器部分,通过高效的开关特性将直流电转换为交流电,提高太阳能利用率。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,FDU6680A用于控制充放电过程,保护电池,延长其使用寿命,同时提高整个系统的可靠性和安全性。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,FDU6680A可以用于控制车载电器设备,提供高效的电源管理,减少能耗,提升车辆的整体性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDU6680A的导通电阻非常低,仅为几毫欧姆级别,这使其在导通状态下能够有效减少功率损耗,提升电路效率。

    - 高击穿电压:FDU6680A的击穿电压高达60V,能够在较高电压下稳定工作,适应多种复杂电路环境。

    - 高电流承载能力:FDU6680A能够承受高达80A的持续电流,适用于需要大电流传输的应用场景,如电机驱动和电池管理系统。

    - 快速开关速度:FDU6680A具有非常快的开关速度,开关时间在纳秒级别,这使其能够在高频率工作条件下保持高效和稳定的性能。

    - 低栅极电荷(Qg):FDU6680A的栅极电荷较低,约为44nC,这有助于降低驱动电路的功耗,提高整体系统的能效。

    综上所述,FDU6680A凭借其优越的电气性能和广泛的应用场景,成为许多高效电力转换和控制系统中的关键组件。其低导通电阻、高击穿电压、高电流承载能力、快速开关速度以及低栅极电荷等特点,使其在各种复杂和高要求的电路设计中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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