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场效应MOS管FDU3N40参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:2AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:3.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDU3N40是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中,本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FDU3N40常用于电源转换和电压调节。它的高效率和低损耗特性使其成为电源设计中的理想选择,能够有效提高电源转换效率并减少热量产生。

    2. 电机驱动:FDU3N40在电机驱动应用中表现出色,特别是在需要高效和快速开关的场合。其低导通电阻和高开关速度使其能够高效驱动各种类型的电机,包括直流电机和步进电机。

    3. 照明系统:在LED照明和其他照明系统中,FDU3N40由于其高效能和稳定性,被广泛应用于调光和恒流驱动电路。它能够提供稳定的电流输出,从而确保照明设备的亮度和寿命。

    4. 电池管理系统:FDU3N40还应用于电池管理系统(BMS)中,用于控制电池的充放电过程。其高效率和低功耗特性有助于延长电池寿命和提高系统整体性能。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,FDU3N40被用于各种控制和驱动电路,如PLC、伺服系统和自动化控制单元。其可靠性和高性能确保了系统的稳定运行和高效控制。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDU3N40的低导通电阻(RDS(on))为0.045Ω(典型值),确保了其在工作时的低功耗和高效率。这一特性对于高效能的电力转换和驱动应用尤为重要。

    - 高开关速度:FDU3N40具有极快的开关速度,开关时间通常在几十纳秒以内。快速的开关速度能够显著提高系统的工作频率,减少开关损耗,从而提高整体效率。

    - 高耐压性:FDU3N40的最大漏源电压(VDSS)为400V,这使其能够在高电压环境中可靠工作,适用于需要高耐压特性的应用场合。

    - 低栅极电荷:FDU3N40的低栅极电荷(Qg)为12nC(典型值),这意味着它在开关时需要较少的驱动能量,能够减少驱动电路的功耗,并且适合高频应用。

    - 高结温度范围:FDU3N40的工作结温度范围宽,从-55°C到+150°C,使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行,适用于工业和户外应用。

    综上所述,FDU3N40凭借其卓越的性能参数和广泛的应用场景,成为电力电子设备设计中的重要元器件。无论是在开关电源、电机驱动,还是在照明系统、电池管理系统和工业自动化中,FDU3N40都能够提供高效、稳定的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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