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场效应MOS管FDPF7N50U参数

PD最大耗散功率:39WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDPF7N50U是一款高效的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:首先,它在电源管理系统中发挥重要作用,例如开关电源(SMPS)和电池管理系统。这些系统需要高效的电力转换和分配,而FDPF7N50U凭借其低导通电阻和高开关速度,能够显著提高转换效率并减少能量损耗。

    2. 电动工具和家用电器:FDPF7N50U在电动工具和家用电器中也有广泛应用。这些设备通常需要高功率且可靠的电子组件,以确保稳定运行和长寿命。FDPF7N50U的高耐压特性和强大的电流处理能力,使其成为这些应用中的理想选择。

    3. 电动车辆:此外,FDPF7N50U还被用于电动车辆(EV)的电池充电器和逆变器。这些系统要求高效的电力转换和良好的热管理性能,而FDPF7N50U的高效率和低热阻特性能够满足这些需求,确保电动车辆的可靠性和性能。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压:FDPF7N50U的最大漏源电压(V_DS)为500V,这使得它能够在高压环境下可靠工作。

    - 导通电阻:FDPF7N50U的导通电阻(R_DS(on))非常低,仅为1.5Ω,从而减少了功率损耗,提高了整体效率。

    - 栅极电荷:FDPF7N50U的栅极电荷(Q_g)为50nC,这意味着它能够在高频开关应用中提供快速的开关速度,减少了切换损耗。

    - 漏极电流:FDPF7N50U的漏极电流(I_D)高达7A,使其能够处理较大的电流,适合高功率应用。

    - 热阻:FDPF7N50U的热阻(R_θJC)为0.8°C/W,这表明它具有优良的热管理性能,能够有效散热,确保在高功率条件下的可靠运行。

    综上所述,FDPF7N50U凭借其出色的电气性能和热管理能力,成为电源管理、电动工具、电动车辆等多个领域的理想选择。通过优化这些关键参数,FDPF7N50U不仅提升了设备的效率和可靠性,还为系统设计提供了更大的灵活性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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