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场效应MOS管FDPF4N60NZ参数

PD最大耗散功率:28WID最大漏源电流:3.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDPF4N60NZ是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FDPF4N60NZ在开关电源中作为主开关器件使用,因其高效的开关特性和低导通电阻,能够提高电源的整体效率和可靠性。

    2. 电动机驱动:在电动机控制电路中,FDPF4N60NZ可用于驱动各种小型电动机,如风扇、泵和电动工具等。其高耐压特性使其适用于高电压驱动应用。

    3. LED驱动:FDPF4N60NZ在LED驱动电路中,能够提供稳定的电流和电压,使LED灯具具有更长的寿命和更高的亮度效率。

    4. 逆变器和UPS系统:在逆变器和不间断电源(UPS)系统中,FDPF4N60NZ可以实现高效的电能转换和稳压功能,确保系统在断电情况下的可靠运行。

    5. 消费类电子产品:如电视机、电冰箱和空调等家电设备中,FDPF4N60NZ用于控制功率模块,提高设备的能效和性能。

    二、参数特点:

    - 耐压高:FDPF4N60NZ的漏源击穿电压(Vds)为600V,适合高压应用场景,能够在高电压环境下稳定运行。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))为1.9欧姆,低导通电阻意味着在开通状态下具有较低的能量损耗,提高了整体电路的效率。

    - 高输入电容:输入电容(Ciss)为750pF,使得FDPF4N60NZ在开关操作中具有较好的响应速度,适合高频率的开关操作。

    - 良好的热特性:FDPF4N60NZ具有较低的热阻(RθJC),为3.1°C/W,有助于在高功率操作时有效散热,确保器件在高温条件下的可靠性。

    - 强大的电流处理能力:其最大连续漏极电流(Id)为4A,脉冲漏极电流(Id,pulse)高达16A,使得FDPF4N60NZ在处理大电流应用时表现出色。

    综上所述,FDPF4N60NZ凭借其高耐压、低导通电阻、快速响应以及优良的热特性,成为各种高效能电子设备中的理想选择。其广泛的应用领域和卓越的参数特点,使得FDPF4N60NZ在现代电子技术中占据重要地位。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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