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场效应MOS管FDPF3N50NZ参数

PD最大耗散功率:27WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDPF3N50NZ是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,FDPF3N50NZ通常用作主开关器件,因其高效率和快速开关特性,有助于提高电源的转换效率和减少能量损耗。

    2. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和便携式设备的电池管理系统中,FDPF3N50NZ用于控制电池充放电过程,确保电池在安全和高效的条件下运行。

    3. 电机控制:FDPF3N50NZ在无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路中发挥重要作用,其高耐压和低导通电阻特点使其能够承受电机启动和运行时的高电流。

    4. 照明系统:在LED驱动电路中,FDPF3N50NZ用作调光和功率调节器件,其高效的开关性能能够实现对LED亮度的精确控制。

    5. 逆变器和变频器:在太阳能逆变器和工业变频器中,FDPF3N50NZ用于直流到交流电的转换和频率控制,保障系统的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 耐压高:FDPF3N50NZ的漏源极耐压(Vdss)高达500V,使其适用于高压应用场景,如电源转换和电机控制。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))仅为2.6Ω,这意味着在导通状态下的损耗较低,提高了整体效率。

    - 快速开关速度:FDPF3N50NZ具有极快的开关速度,这对于需要高频率开关的应用场景尤为重要,如开关电源和逆变器。

    - 高脉冲电流能力:其最大脉冲漏电流(Idm)达到18A,能够承受瞬时的高电流冲击,这在电机启动和高功率负载切换时尤为关键。

    - 可靠性高:FDPF3N50NZ的封装和工艺设计确保了其在高温高压条件下的稳定性和可靠性,适合工业级和汽车级应用。

    综上所述,FDPF3N50NZ在多个应用场景中表现出色,具备高效率、高可靠性和多功能性的优点,是功率管理和控制电路中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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