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场效应MOS管FDP8876参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:70AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0087ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.2~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP8876是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效开关和低导通电阻的电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源中,FDP8876常用于同步整流器和主开关器件。其低导通电阻和快速切换特性,使其在提高电源效率方面具有显著优势。

    2. 电机控制:在无刷直流电机(BLDC)驱动器和步进电机控制器中,FDP8876可以用作H桥电路的功率开关。其高效能和耐用性,使其能在高电流条件下保持稳定工作。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FDP8876被用作逆变器和整流器的核心开关器件。其快速响应和高耐压特性,使其能够应对电源切换时的高应力环境。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,FDP8876可用于DC-DC和DC-AC转换部分。其高效率和可靠性,能够有效提升整体系统的性能。

    5. 汽车电子:FDP8876在汽车电子中的应用涵盖了电动汽车充电器、车载电源管理系统等。其高可靠性和抗干扰能力,使其适合严苛的汽车环境。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDP8876的最大导通电阻为2.5毫欧姆,这意味着在高电流通过时,器件的功率损耗较低,有助于提高整体系统效率。

    - 高电流能力:FDP8876的连续漏极电流(ID)最大可达120安培,这使得它能在大功率应用中可靠运行。

    - 高耐压性:FDP8876的漏源击穿电压(VDS)为30伏,确保了器件在高电压环境下的稳定性和安全性。

    - 快速开关速度:FDP8876具有低栅极电荷(Qg),使其能够在高频开关应用中表现出色。其总栅电荷为66纳库伦,这有助于降低开关损耗。

    - 热特性优越:FDP8876具有良好的热管理性能,其结到环境热阻(RθJA)为62.5°C/W。这意味着在高功率应用中,器件能够有效散热,保证长期稳定工作。

    通过上述详细介绍,可以看出,FDP8876凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为了现代电子设备中不可或缺的关键元件。无论是在电源管理、电机控制、UPS系统、太阳能逆变器还是汽车电子中,FDP8876都展现出了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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