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场效应MOS管FDP8870参数

PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:156AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.041ΩVRDS(ON)ld通态电流:35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.2~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP8870是一种N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。以下是关于FDP8870的应用场景和参数特点的详细分析。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FDP8870因其能够处理较高的电流和电压,经常用于开关电源的设计中。它可以在电源的主开关部分发挥关键作用,确保电源的高效率和稳定性。

    2. 电机驱动:在电机控制应用中,FDP8870可以用来驱动各种小型到中型的电机,包括无刷直流电机和步进电机。其高电流承载能力和快速开关特性使其成为电机驱动领域的优选。

    3. 充电器:用于电动车和便携式设备的充电器中,FDP8870能够控制较大的电流,使充电过程更快、更安全。

    4. 逆变器应用:在太阳能逆变器和家用逆变器中,FDP8870用于转换直流电为交流电,其高效的能量转换率是其在这些应用中被广泛使用的主要原因。

    5. LED照明系统:在LED照明系统中,FDP8870常用于调节电流,保证LED的稳定和长寿命,尤其是在需要高功率输出的商业照明解决方案中。

    二、参数特点:

    - 电压和电流容量: FDP8870的耗散功率高,能够承受最大30V的连续漏极-源极电压,以及最高80A的连续漏极电流,这使得它适用于高功率应用。

    - 开关速度:这种型号的MOSFET具有较快的开关响应时间,这有助于提高在高频开关应用中的效率和性能。

    - 导通阻抗: FDP8870具有较低的导通阻抗(RDS(on)),这意味着在导通状态下的能量损失较低,从而提高了整体的能效。

    - 封装:它采用TO-220封装,这是一种常见的封装形式,便于散热和安装,适合于需要大量散热的应用。

    - 耐热性能: FDP8870能够在较高的温度下运行(通常高达175℃),这对于可能遇到高温环境的应用非常关键。

    综上所述,FDP8870的多种应用场景和优越的参数特点使其成为多种高要求电子系统的理想选择。它的高电压和电流容量、快速的开关能力及低导通阻抗等特性,使其能在严苛的工作环境下保持高性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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