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场效应MOS管FDP8443参数

PD最大耗散功率:188WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.0035ΩVRDS(ON)ld通态电流:80AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP8443是一款N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子和电力设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FDP8443在开关电源中常用作主开关管,其低导通电阻和高效能的特性使其能够高效地转换电能,减少损耗,提高整体效率。

    2. 电机控制:在电机控制电路中,FDP8443可以用于控制电机的启停和速度调节,特别是在无刷直流电机(BLDC)驱动器中,其优异的开关性能能够确保电机运行平稳。

    3. 光伏逆变器:在光伏系统中,FDP8443被用于直流电压的逆变和调节,凭借其高效的开关速度和低损耗特点,能够提高光伏系统的转换效率。

    4. 电池管理系统(BMS):在BMS中,FDP8443可用于电池的充放电管理,通过精确控制充放电过程,延长电池寿命并提高系统安全性。

    5. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FDP8443可以作为逆变器的主要功率器件,确保在电力中断时能够快速且稳定地提供备用电力。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on))低:FDP8443具有极低的导通电阻,典型值为0.008 Ohm,这意味着在工作时可以减少能量损耗,提高系统的效率。

    - 高电流承载能力:FDP8443的连续漏极电流(ID)高达65A,脉冲漏极电流(IDM)可达260A,适合大功率应用场景,能够满足高电流需求。

    - 高耐压性:FDP8443的漏极-源极耐压(VDS)为40V,使其能够在较高电压环境下工作而不易损坏,增强了系统的可靠性。

    - 快速开关性能:FDP8443具有快速开关速度,这在需要高频开关的应用中尤为重要,可以有效减少开关损耗,提高系统性能。

    - 热性能优异:FDP8443采用TO-220封装,具有较好的热导性能,最大结温(Tj)为175℃,能够在较高温度下稳定工作,并且具有较好的散热效果。

    综上所述,FDP8443作为一款性能优越的N沟道MOSFET,其在各种电力电子应用中展示了极高的效率和可靠性。无论是在开关电源、电机控制还是光伏逆变器等应用中,FDP8443都能够凭借其出色的电气特性和热性能,确保系统的高效稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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