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场效应MOS管FDP8442参数

PD最大耗散功率:254WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.0031ΩVRDS(ON)ld通态电流:80AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP8442是一款由Fairchild Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍FDP8442的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDP8442在开关电源和DC-DC转换器中,通常用作开关元件,其低导通电阻和高开关速度能够显著提高电源效率,减少能量损耗,进而延长设备的使用寿命。

    2. 电动工具:许多电动工具需要高效能的电源管理,FDP8442由于其出色的电流处理能力和耐高压特性,被广泛应用于各种便携式和固定式电动工具中,确保这些工具在高负载下仍能稳定运行。

    3. 汽车电子:在汽车电子系统中,FDP8442用于控制和管理电机驱动、电源分配和保护电路等关键部件。其耐高压和高可靠性使其能够应对汽车电气系统中的复杂环境和严苛要求。

    4. 消费电子:如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等设备,FDP8442被用作电源管理和电池保护电路中的核心组件。它的高效性能和紧凑尺寸有助于设备的小型化和高性能化。

    5. 工业控制系统:在工厂自动化和机器人技术中,FDP8442被用来驱动电机和执行器,其高电流处理能力和快速开关特性确保了系统的快速响应和高精度控制。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(Rds(on)):FDP8442的典型导通电阻为4.5毫欧姆(Vgs=10V),这种低导通电阻确保了在高电流传输时的低功耗和高效能。

    - 高电流处理能力:该器件的最大连续漏极电流(Id)为75安培(@ Tc=25°C),在高电流应用中表现出色,适合大功率传输需求。

    - 耐高压:FDP8442的漏极-源极击穿电压(Vdss)为40伏特,能够承受较高的电压应力,适用于多种高压应用场景。

    - 快速开关性能:FDP8442具有低栅极电荷(Qg典型值为93nC)和低反向恢复电荷(Qrr典型值为30nC),这些参数确保了快速开关特性,有助于提高电源转换效率和减少开关损耗。

    - 可靠性和耐用性:FDP8442采用增强型设计,具备较高的雪崩能量(单脉冲雪崩能量为150mJ),确保在极端条件下仍能稳定运行,适合各种苛刻的工作环境。

    综上所述,FDP8442凭借其卓越的参数和多样的应用场景,成为现代电子设备中不可或缺的关键元件。在电源管理、电动工具、汽车电子、消费电子和工业控制系统中,FDP8442展现出了极高的可靠性和性能,满足了各类高效能和高可靠性的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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