收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FDP8441参数

场效应MOS管FDP8441参数

PD最大耗散功率:300WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.0027ΩVRDS(ON)ld通态电流:80AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FDP8441是一种功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDP8441通常用于开关电源、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)等电源管理系统中。其高效的开关性能和低导通电阻使其在高频开关和高效能量转换应用中表现出色。

    2. 电机驱动控制:在电动机控制领域,FDP8441经常用于控制电动机的启停、速度调节和方向控制。其高电流处理能力和快速开关速度确保电机运行的稳定性和效率。

    3. 电池保护电路:FDP8441可用于锂电池组的保护电路中,通过快速响应的开关特性保护电池免受过充、过放和短路的损害,延长电池使用寿命。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FDP8441可用于逆变器电路,负责将直流电转换为交流电,保证高效的能量传输和转换效率。

    5. LED驱动器:FDP8441也适用于高功率LED驱动器中,通过控制LED的电流,实现亮度调节和节能效果,特别适用于大功率LED照明和显示屏领域。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDP8441具有极低的导通电阻(RDS(on)),这使得它在导通时的功耗极小,提高了整个电路的效率。例如,其典型的导通电阻为8.2毫欧姆,这在高电流应用中能够显著减少功率损耗。

    - 高电流处理能力:FDP8441的最大连续漏极电流(ID)可达75安培,使其能够处理大功率负载,适用于需要高电流的应用场景。

    - 高击穿电压:FDP8441的漏源击穿电压(VDSS)为40伏特,能够承受较高的电压应力,确保在高电压环境下的稳定工作。

    - 快速开关特性:FDP8441拥有快速的开关速度,其开通时间和关断时间均很短,这对于高频开关电路和快速响应的应用来说尤为重要。典型的开通时间为12纳秒,关断时间为35纳秒。

    - 热性能优越:FDP8441具有良好的热性能,其结-壳热阻(RθJC)仅为0.45℃/W,这意味着在高功率运行时能够有效散热,维持稳定的工作温度。

    通过上述应用场景和参数特点的详细介绍,我们可以看到FDP8441在功率MOSFET领域具有广泛的应用前景和优异的性能。无论是在电源管理、电机控制还是在LED驱动等高效能应用中,FDP8441都能提供可靠和高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号