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场效应MOS管FDP7N60NZ参数

PD最大耗散功率:147WID最大漏源电流:6.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP7N60NZ是一种N沟道功率MOSFET,因其高电压、高电流和低导通电阻的特性而广泛应用于多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,FDP7N60NZ作为主开关器件使用,其高效率和低损耗特性能够显著提高电源转换效率,减少热量生成,适用于各种电压转换应用,如AC-DC和DC-DC转换器。

    2. 电机驱动器:FDP7N60NZ能够处理高电压和大电流,非常适合用于电机驱动器。它在电机控制电路中用作开关元件,提供高效的电能转换和控制,提高电机性能和能效。

    3. 照明电路:在LED照明系统中,FDP7N60NZ可用作调光电路中的开关元件。它的高效开关特性和低导通电阻能够有效降低能耗,延长LED的使用寿命。

    4. 太阳能逆变器:FDP7N60NZ在太阳能逆变器中起到关键作用,通过高效的电能转换,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供家庭和工业使用。

    5. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FDP7N60NZ用于电池管理和电源转换,确保在电源中断时提供持续的电力供应,其高可靠性和高效性能在此类关键应用中尤为重要。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):FDP7N60NZ的最大漏源电压为600V,使其能够在高电压环境中可靠运行,适用于高压电源和工业控制系统。

    - 漏极电流(Id):在25°C环境下,FDP7N60NZ的最大连续漏极电流为7A,这使其能够处理大电流负载,适合电机驱动和大功率转换器等应用。

    - 导通电阻(Rds(on):该器件的导通电阻仅为1.0Ω(典型值),低导通电阻意味着更低的功耗和更高的效率,有助于减少系统热管理的需求。

    - 栅极电荷(Qg):FDP7N60NZ的总栅极电荷为45nC,较低的栅极电荷有助于提高开关速度,减少开关损耗,适合高频应用。

    - 热阻(Rthj-c):结到壳的热阻为1.25°C/W,低热阻特性有助于有效散热,确保器件在高功率应用中的稳定性和可靠性。

    综上所述,FDP7N60NZ在这些参数的支持下,成为了许多高效能和高可靠性应用中的理想选择。通过优化这些关键参数,FDP7N60NZ不仅提高了系统性能,还显著降低了功耗和热量管理的需求,使其在现代电子设计中得到了广泛的应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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