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场效应MOS管FDP7N50U参数

PD最大耗散功率:89WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP7N50U是一种广泛使用的功率MOSFET,具有各种优点和特性,可以在各种电子电路中提供高效、稳定的功率转换。

    一、应用场景

    1.开关电源:FDP7N50U广泛应用于开关电源。高开关速度和低导通电阻减少了高频操作期间的开关损耗并提高了电源效率。此外,其高介电强度确保即使在较高输入电压下也能稳定运行。

    2.不间断电源UPS:UPS系统需要能够承受高电流和高电压的组件,以确保停电期间的稳定性能。FDP7N50U的500V高电压强度和低导通电阻使系统对突然的电涌更具弹性。

    3.高频转换器:对于转换器,尤其是高频转换应用,FDP7N50U的高频开关特性尤为重要,并且该器件的热稳定性也使其适合保持稳定的性能。减少长期运行期间热量积聚对部件使用寿命的影响。

    4.直流电机驱动:FDP7N50U的高电压强度非常适合控制较大功率的电机。快速开关速度确保对驱动电流的快速响应,从而实现电机的快速启动和停止,并增加控制灵活性。

    二、参数特点

    - 漏源电压Vds:FDP7N50U的最大漏源电压为500V,适合加工。对高压输入具有较高的耐受能力,适用于中高压开关电源和电力系统的高压控制。

    - 导通电阻Rds(on):FDP7N50U的导通电阻也很低,可达1.4Ω,显著降低高频工作时的传导损耗,提高效率。

    - 额定电流ID:FDP7N50U的额定电流为7A,适用于中等功率系统和工业控制应用。该参数可在需要稳定高电流输出的应用中实现卓越的电流传输,例如UPS和开关电源。

    - 开启电压Vgs(th):此阈值范围确保FDP7N50U可以在较低的栅极驱动电压下工作。

    - 总栅极电荷Qg:FDP7N50U的总栅极电荷在高频应用中表现出良好的开关效率,同时保持快速开关损耗响应特性,使其非常适合在高频转换器和电机驱动场景中使用。

    - 结温和存储温度:FDP7N50U的结温上限为175℃,具有优异的热稳定性和散热性能,保证在高温环境和长时间工作场景下可靠运行,提高设备可靠性。

    总的来说,FDP7N50U适用于多种应用场景,特别是开关电源、不间断电源、直流电机驱动器以及其他需要高性能和可靠性的应用。该器件具有高电压强度、低导通电阻和快速响应开关特性,为电源系统和驱动电路提供了出色的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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