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场效应MOS管FDP75N08A参数

PD最大耗散功率:137WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:70VRDS(ON)Ω内阻:0.011ΩVRDS(ON)ld通态电流:37.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP75N08A是一种高效的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDP75N08A在开关电源中起着关键作用,尤其是在DC-DC转换器和AC-DC适配器中。它的低导通电阻和快速开关特性使其能够高效地处理大电流,提高电源系统的整体效率。

    2. 电机驱动:在电动车、工业电机控制系统中,FDP75N08A常用于驱动电机。其高耐压和大电流处理能力确保了电机在高负荷条件下的稳定运行。

    3. 光伏逆变器:在太阳能光伏系统中,FDP75N08A用于逆变器电路中,将直流电转换为交流电。其高效能和耐用性使其成为光伏系统中的理想选择。

    4. 不间断电源(UPS):UPS系统需要可靠的功率半导体器件来确保持续供电。FDP75N08A的高可靠性和高效性能使其在UPS系统中得到广泛应用。

    5. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,电池管理系统至关重要。FDP75N08A在这些系统中负责电池的充放电控制,确保电池的安全和高效运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDP75N08A的典型导通电阻为0.0092Ω,这意味着在工作过程中产生的损耗较低,有助于提高整体系统的效率。

    - 高击穿电压:该器件的漏源极击穿电压为80V,确保其在高电压环境下的安全性和可靠性,适用于各种高压应用场景。

    - 大电流处理能力:FDP75N08A的连续漏极电流为75A,脉冲漏极电流更是高达300A,使其能够在高负荷条件下稳定工作。

    - 快速开关特性:FDP75N08A的栅极电荷(Qg)为140nC,使其具备快速开关能力。这一特性在高频开关电源和电机控制应用中尤为重要。

    - 热特性优越:FDP75N08A具有较低的热阻,从结点到外壳的热阻为0.65℃/W,有助于在高功率操作时保持低温度,提高器件的可靠性和寿命。

    通过上述详细的应用场景和参数特点的介绍,可以看出FDP75N08A在各种高要求的电子系统中展现出了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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