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场效应MOS管FDP75N08参数

PD最大耗散功率:131WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:70VRDS(ON)Ω内阻:0.011ΩVRDS(ON)ld通态电流:37.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP75N08是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDP75N08常用于开关电源和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中,能够提高电源的转换效率和稳定性。其低导通电阻和高开关速度使其在这些应用中表现出色。

    2. 电动工具:在电动工具中,FDP75N08用作开关元件,能够提供高效的能量传输和控制。这对于延长电池寿命和提高工具性能至关重要。

    3. 电动汽车:电动汽车的电池管理系统(BMS)需要高效且可靠的功率元件,FDP75N08在这类系统中可以实现高效的能量管理和热管理,确保电池的安全性和使用寿命。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,逆变器需要将直流电转换为交流电,FDP75N08在此类应用中能够提高转换效率,并减少能量损耗。

    5. 通信设备:现代通信设备中大量使用功率MOSFET来管理电源,FDP75N08能够在高频率下稳定工作,确保设备的可靠运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDP75N08的导通电阻(RDS(on))极低,仅为8毫欧(mΩ),这使其在导通状态下的能量损耗非常低,有助于提高整体电路的效率。

    - 高电流处理能力:该器件能够处理高达75安培(A)的连续漏极电流,这使其适用于高功率应用,如电动工具和电动汽车。

    - 高耐压能力:FDP75N08的漏极-源极耐压(VDSS)为80伏(V),这使其能够在较高电压条件下安全运行,适用于各种电源管理应用。

    - 快速开关速度:FDP75N08具有极快的开关速度,其典型的开关时间仅为几十纳秒(ns),这对于高频开关应用(如DC-DC转换器)尤为重要。

    - 低栅极电荷:该器件的总栅极电荷(Qg)较低,约为120纳库仑(nC),这意味着驱动该MOSFET所需的能量较少,从而减少了驱动电路的复杂性和功耗。

    通过以上详细的应用场景和参数特点介绍,可以看出FDP75N08在高效能量管理和转换应用中具有显著优势,是一种非常优秀的N沟道功率MOSFET。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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