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场效应MOS管FDP7042L参数

PD最大耗散功率:83WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通态电流:25AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:0.8~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP7042L是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于多个领域。首先,它在开关电源中具有重要地位。由于其低导通电阻和高开关速度,FDP7042L能显著提高电源的效率和可靠性,使其成为电源设计工程师的理想选择。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FDP7042L在开关电源中具有重要地位。由于其低导通电阻和高开关速度,FDP7042L能显著提高电源的效率和可靠性,使其成为电源设计工程师的理想选择。

    2. 电机驱动:FDP7042L在电机驱动中也表现出色。在电机控制应用中,可靠的开关性能和高效的电流处理能力至关重要。FDP7042L的这些特点使其能够在电机驱动电路中提供稳定而高效的性能。

    3. 太阳能逆变器和UPS系统:FDP7042L还应用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中。在这些应用中,设备需要高效地转换电能,并且对开关元件的可靠性要求非常高。FDP7042L的高效率和高可靠性使其成为这些系统中的关键组件。

    4. 工业控制和自动化设备:FDP7042L也被用于各种工业控制和自动化设备中。工业环境通常要求设备能够承受苛刻的工作条件,并具有长时间稳定运行的能力。FDP7042L的坚固设计和优异性能满足了这些苛刻要求,广泛用于工业控制系统中。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDP7042L的典型导通电阻为4.5毫欧。这一低导通电阻确保了在高电流通过时,能量损失降至最低,提高了整体电路的效率。

    - 高开关速度:FDP7042L具备快速开关特性,这使其在高频应用中表现出色。其典型的开关时间仅为纳秒级,能够满足高速开关电路的需求。

    - 高击穿电压:FDP7042L的击穿电压为60伏特,提供了在各种高电压环境下的可靠操作能力。这一特性使其适用于需要高电压操作的电源和电机驱动应用中。

    - 大电流处理能力:FDP7042L能够处理高达60安培的连续漏极电流,这使其在需要大电流处理能力的应用中非常有用,如电机驱动和电源管理系统。

    - 低栅极电荷:FDP7042L具有较低的栅极电荷(典型值为62nC),这有助于降低驱动功耗,并提高效率。低栅极电荷特性也使其在高频开关应用中更具优势。

    综上所述,FDP7042L因其低导通电阻、高开关速度、高击穿电压、大电流处理能力和低栅极电荷等特点,成为多种电源管理、电机驱动和工业控制应用中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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