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场效应MOS管FDP7030L参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:100AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.007ΩVRDS(ON)ld通态电流:50AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP7030L是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDP7030L在开关电源和DC-DC转换器中起到关键作用,能够高效地管理电能的传输和转换。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高效能电源设计中非常受欢迎。

    2. 电机驱动:在电动工具、电动自行车等设备中,FDP7030L常用作电机驱动器的核心元件。它能够提供高效的电流控制和快速的开关速度,确保电机运行的稳定性和效率。

    3. 电池管理系统:在电动车和可再生能源存储系统中,FDP7030L用于电池管理系统,负责电池的充电和放电控制。其高效能和耐用性使其能够在苛刻的环境下长时间工作。

    4. 音频放大器:FDP7030L在高保真音频放大器中也有应用,它能够提供低失真和高效率的放大效果,提升音频设备的音质。

    5. 通信设备:在无线基站和其他通信设备中,FDP7030L用于射频放大和信号处理电路,提供高频率和高功率的信号放大功能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDP7030L的导通电阻仅为3.2毫欧(典型值),这意味着它在开关状态下的能量损耗非常低,能够提高电路的整体效率。

    - 高电流处理能力:该MOSFET能够处理高达75A的连续漏极电流,这使其非常适合高功率应用,如电机驱动和电源管理。

    - 高击穿电压:FDP7030L的漏极-源极击穿电压(BVDSS)为30V,确保在电路中能承受较高的电压应力,提供可靠的电气隔离和保护。

    - 快速开关速度:FDP7030L具有较快的开关速度,其总栅极电荷(Qg)为50nC,这使其能够在高频开关电路中有效工作,减少开关损耗,提高系统效率。

    - 热性能优越:该器件的热阻(结到壳体)为0.8°C/W,良好的热性能确保其在高功率和高温环境下能够可靠运行,延长设备的使用寿命。

    综上所述,FDP7030L凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关速度和优越的热性能,成为多种应用场景中的理想选择。其在电源管理、电机驱动、电池管理系统、音频放大器和通信设备等领域的广泛应用,证明了其在电子元器件市场中的重要地位。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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