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场效应MOS管FDP6676参数

PD最大耗散功率:93WID最大漏源电流:84AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.006ΩVRDS(ON)ld通态电流:42AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP6676是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FDP6676在开关电源中表现优异,能够高效地转换电能。其低导通电阻和快速开关速度使其在高频开关电源中尤为适用,能够显著提高电源的效率和稳定性。

    2. 电机控制:在电机控制电路中,FDP6676凭借其低导通电阻和高电流承载能力,能够有效地控制电机的启动、停止和速度调节。这使得它在工业自动化和家用电器中得到广泛应用。

    3. 电池管理系统:FDP6676常用于电动汽车和便携式设备的电池管理系统中。其高效的电能转换能力和稳定的性能能够延长电池寿命,提高设备的整体性能。

    4. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,FDP6676的高效率和低损耗特点使其成为理想的选择。它能够在不同电压等级之间高效转换,满足各种电子设备的需求。

    5. 负载开关:FDP6676可以用于电子设备的负载开关中,提供可靠的开关控制。这在智能家居设备和便携式电子产品中非常常见,确保设备的安全性和可靠性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDP6676的导通电阻(RDS(on))非常低,通常在3.2mΩ左右。这意味着在相同的电流下,它的功率损耗更低,效率更高,非常适合高效能应用。

    - 高电流承载能力:FDP6676能够承载高达65A的连续电流,瞬时电流更高。这使得它在需要高电流的应用场景中表现优异,如电机控制和电池管理系统。

    - 快速开关速度:FDP6676具有非常快的开关速度,这对开关电源和DC-DC转换器等高频应用尤为重要。快速的开关速度可以减少开关损耗,提高整体系统效率。

    - 耐高压能力:FDP6676的漏源击穿电压(VDS)高达60V,能够在较高电压环境下稳定工作,适用于需要高压操作的场合。

    - 低栅极电荷:FDP6676的栅极电荷(Qg)较低,通常在60nC以下。这使得它在快速开关时所需的驱动功率更小,能够有效减少驱动电路的功耗。

    综上所述,FDP6676凭借其低导通电阻、高电流承载能力、快速开关速度、耐高压能力和低栅极电荷等优异参数特点,在开关电源、电机控制、电池管理系统、DC-DC转换器和负载开关等应用中得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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