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场效应MOS管FDP65N06参数

PD最大耗散功率:135WID最大漏源电流:65AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.016ΩVRDS(ON)ld通态电流:32.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP65N06是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子和电气设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FDP65N06通常用于主开关器件。其高效率和低导通电阻使其非常适合在高频、高功率的开关电源中使用。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,FDP65N06能够有效地控制电流,通过其快速开关特性,能够提供平滑且高效的电流控制,从而提高电机性能和效率。

    3. DC-DC转换器:FDP65N06在DC-DC转换器中用于提高能效和转换效率。其低导通电阻和高耐压特性使其能够在高电流应用中表现出色。

    4. 光伏逆变器:在光伏系统中,FDP65N06作为逆变器的核心器件,能够有效地将直流电转换为交流电,并且减少功率损耗,提高系统整体效率。

    5. 电池管理系统:在电池管理系统中,FDP65N06用于电池的充放电管理,通过其低导通电阻和高开关速度,可以实现对电池电流的精确控制,从而延长电池寿命并提高安全性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDP65N06的典型导通电阻为9.8mΩ,这意味着在导通状态下,电能损耗非常低,有助于提高整体系统效率。

    - 高耐压:该器件具有60V的漏源极耐压能力,使其能够在高电压应用中安全运行,并且适用于要求严格的工业环境。

    - 高电流能力:FDP65N06的连续漏极电流能力为110A,这使其能够在高电流应用中提供可靠的性能,适用于大功率电机驱动和高功率开关电源。

    - 快速开关速度:FDP65N06具有较快的开关速度,其典型的开关时间为几十纳秒,这使其非常适合高频应用,如DC-DC转换器和开关电源。

    - 低栅极电荷(Qg):FDP65N06的典型栅极电荷为67nC,这意味着驱动该MOSFET所需的能量较低,有助于减少驱动损耗,提高整体系统效率。

    综上所述,FDP65N06凭借其低导通电阻、高耐压、高电流能力、快速开关速度和低栅极电荷等优良特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器、光伏逆变器和电池管理系统等领域。其性能参数使其在这些应用中能够提供高效、可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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