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场效应MOS管FDP61N20参数

PD最大耗散功率:417WID最大漏源电流:61AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.041ΩVRDS(ON)ld通态电流:30.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP61N20是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电子设备和电力管理系统。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDP61N20在开关电源(SMPS)中起关键作用。它用于高效能量转换,帮助减少能量损耗并提高系统的整体效率。

    2. 电动机控制:在电动机驱动和控制系统中,FDP61N20用作开关元件,调节电动机的速度和方向。它的高电流处理能力和低导通电阻使其成为这类应用的理想选择。

    3. 不间断电源(UPS):FDP61N20被广泛应用于UPS系统中,确保在主电源断电时提供稳定的电力供应。它能够在瞬时切换中起到关键作用,保证设备的正常运行。

    4. 逆变器:在光伏发电和风力发电的逆变器系统中,FDP61N20用于将直流电转换为交流电。这些应用需要高效率和高可靠性的元件,FDP61N20正是因其出色的性能而被选用。

    5. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统中,FDP61N20用于电池管理系统(BMS),控制充电和放电过程,确保电池的安全和寿命。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDS):FDP61N20的最大漏源电压为200V。这使其能够在高压应用中提供可靠的性能,适用于需要高电压处理能力的场合。

    - 导通电阻(RDS(on)):FDP61N20的导通电阻非常低,典型值为0.045Ω。低导通电阻意味着在开关过程中产生的能量损失较少,提高了效率,尤其在高频应用中效果显著。

    - 漏极电流(ID):FDP61N20能够承受高达60A的连续漏极电流。这种高电流处理能力使其适用于需要处理大电流的应用,如电动机驱动和电源管理。

    - 栅极电荷(Qg):FDP61N20的总栅极电荷典型值为100nC。较低的栅极电荷有助于减少开关损耗,提高开关速度,使其在高频应用中更为高效。

    - 热阻(RθJC):FDP61N20具有较低的结到壳热阻,典型值为0.5°C/W。这种低热阻特性有助于更快地散热,确保元件在高功率应用中的稳定性和可靠性。

    综上所述,FDP61N20因其卓越的电气特性和可靠性,成为各种高性能、高效率电子设备和系统中的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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