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场效应MOS管FDP6035L参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:58AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.011ΩVRDS(ON)ld通态电流:26AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP6035L是一种低导通电阻(RDS(on))的N沟道功率MOSFET,其广泛应用于各种高效能电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDP6035L常用于直流-直流转换器、开关电源和电池管理系统。其低导通电阻和高效的开关性能可以提高电源转换效率,减少能量损耗,适用于手机、笔记本电脑等便携设备中的电源管理。

    2. 电机驱动:在无刷直流电机和步进电机驱动中,FDP6035L因其快速开关和高效能量传输特性,能显著提高电机控制的精度和效率。这在电动车、电动工具等应用中尤为重要。

    3. 太阳能逆变器:太阳能发电系统中,逆变器需要高效能量转换,FDP6035L凭借其低导通电阻和高开关速度,可以有效提高系统的整体效率,减少能量损失。

    4. 负载开关:在负载开关应用中,FDP6035L可以快速响应控制信号,实现对负载的高效开关控制,广泛应用于消费电子、工业控制等领域。

    5. 音频放大器:在高保真音频放大器中,FDP6035L能够提供高线性度和低失真率,有效提高音频信号的质量,满足高端音响设备的需求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDP6035L的导通电阻非常低,这意味着在开通过程中能量损失少,热量产生低,效率更高。例如,其典型RDS(on)值为6.5毫欧,这在大电流应用中尤为关键。

    - 高电流处理能力:FDP6035L的连续漏极电流高达80安培(A),这使得它能够处理大电流负载,适合高功率应用,如电机驱动和电源管理系统。

    - 快速开关速度:FDP6035L具备快速的开关速度,其典型开关时间为几十纳秒级别,能够满足高频开关电路的需求,提高系统效率,减少开关损耗。

    - 高击穿电压:FDP6035L的最大漏源电压(VDS)为60伏(V),这使其能够在较高电压环境中安全运行,广泛适用于各种电源和电机控制系统。

    - 低栅极电荷(Qg):低栅极电荷使得FDP6035L在开关过程中所需的驱动能量较小,这不仅降低了驱动电路的复杂性和功耗,也提高了整体电路的效率。

    综上所述,FDP6035L凭借其低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度、高击穿电压和低栅极电荷等优异参数,成为各种高效能电子设备中的理想选择。其在电源管理、电机驱动、太阳能逆变器、负载开关和音频放大器等应用中展现了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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