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场效应MOS管FDP5N60NZ参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:4.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP5N60NZ是一种600V、5A的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FDP5N60NZ被用作高效开关器件,能够在高频操作中提供稳定的电流和电压转换。这使其适用于计算机电源、电视机电源、适配器等设备。

    2. 电机驱动:由于其低导通电阻和高耐压特性,FDP5N60NZ常被用于电机驱动电路中,确保电机运行的高效率和可靠性。它可以应用于家电、电动工具和工业控制等领域。

    3. 照明控制:在LED照明和HID照明控制电路中,FDP5N60NZ作为驱动器件,可以实现高效的功率转换和调光控制,提升照明设备的能效和寿命。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,FDP5N60NZ被用作逆变器的功率开关元件,能够有效处理高电压和大电流,确保系统的稳定性和高效性。

    5. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统的电池管理中,FDP5N60NZ用于控制充放电过程,保证电池的安全性和寿命。

    二、参数特点:

    - 耐压特性:FDP5N60NZ的漏源极耐压(Vds)高达600V,能够在高电压环境中稳定运行,适用于需要高耐压器件的应用场合。

    - 电流处理能力:其最大连续漏极电流(Id)为5A,短脉冲电流可达20A,使其能够处理较大的电流负载,适合高功率应用。

    - 低导通电阻:FDP5N60NZ的导通电阻(Rds(on))低至1.3Ω,这有助于减少导通损耗,提高整体电路的效率和性能。

    - 开关性能:其开关速度快,具有较低的栅极电荷(Qg),使其在高频开关应用中能够快速响应,减少开关损耗和电磁干扰。

    - 热性能:FDP5N60NZ具有良好的热性能,结温范围为-55°C至150°C,能够在宽温度范围内稳定工作。其热阻(Rth)低,有助于散热管理,增强器件的可靠性。

    通过以上详细介绍,可以看出FDP5N60NZ作为一种高性能的N沟道MOSFET,具有广泛的应用场景和优异的参数特点,能够满足各种高电压、高电流和高效率应用的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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