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场效应MOS管FDP55N06参数

PD最大耗散功率:114WID最大漏源电流:55AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.022ΩVRDS(ON)ld通态电流:27.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP55N06是一款N沟道增强型功率MOSFET,其在电子和电力系统中有着广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDP55N06常用于开关电源和DC-DC转换器中。其低导通电阻和高效率的特点使其非常适合用于这些需要高效能量转换的应用中。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,FDP55N06能有效地控制电机的开关状态,提供高效的功率转换,减少损耗。

    3. 音频放大器:FDP55N06在高保真音频放大器中起到关键作用,其高电流处理能力和低导通电阻确保了音频信号的高质量放大。

    4. 汽车电子:由于其高可靠性和耐用性,FDP55N06广泛应用于汽车电子系统中,如电动窗、座椅调节和照明控制等。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,FDP55N06被用作开关元件,以实现高效的能量管理和设备控制。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDP55N06的典型导通电阻为0.022欧姆,这意味着在导通状态下,电能损耗非常小,从而提高了整体系统的效率。

    - 高电流处理能力:该器件最大连续漏极电流为50安培,使其能够处理高电流负载,适用于需要大电流的应用场景。

    - 耐高压能力:FDP55N06的最大漏极-源极电压为60伏,能够在较高电压下安全工作,适合高压应用。

    - 快速开关速度:FDP55N06具有快速的开关特性,能够在高频率应用中有效工作,这对于高效的电能转换和电机控制非常重要。

    - 热性能优良:FDP55N06具有低热阻特性,确保在高功率应用中能够有效散热,保证器件的稳定性和可靠性。

    综上所述,FDP55N06凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压能力、快速开关速度以及优良的热性能,在各种电源管理、电机控制、音频放大、汽车电子和工业自动化等领域都有着广泛的应用。其出色的性能参数使其成为这些应用场景中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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