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场效应MOS管FDP52N20参数

PD最大耗散功率:357WID最大漏源电流:52AV(BR)DSS漏源击穿电压:20VRDS(ON)Ω内阻:0.049ΩVRDS(ON)ld通态电流:26AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP52N20是一种高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FDP52N20在开关电源中用作主开关器件,其高效能和低导通电阻使其能够有效地转换电能,减少能量损耗,提高系统的整体效率。

    2. 电机驱动器:在电动机驱动器中,FDP52N20常用于控制电动机的开关操作。其快速开关能力和高电流处理能力使其适用于各种电动机控制应用,从家用电器到工业自动化设备。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FDP52N20被用于逆变器电路中,将直流电转换为交流电。其高耐压和高效能特点使其在高功率太阳能系统中表现出色。

    4. UPS不间断电源:在UPS系统中,FDP52N20被用来实现电池和负载之间的快速切换,以确保在主电源故障时持续供电。其快速响应时间和高可靠性在此类应用中尤为重要。

    5. 电动车充电器:FDP52N20在电动车充电器中用作功率开关元件,帮助实现高效、稳定的电能传输,以提高充电效率并延长电池寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDP52N20的导通电阻非常低,这意味着在导通状态下,它的电压降很小,从而减少了功率损耗和发热量。这在高效能要求高的应用中尤为关键。

    - 高击穿电压(VDSS):FDP52N20的击穿电压为200V,这使得它可以在较高电压环境下工作,适用于高压应用场景,如电源转换器和电机驱动器。

    - 高脉冲电流处理能力:该型号的MOSFET可以处理高达104A的脉冲电流,使其适用于需要高瞬时电流的应用,如启动电流较大的电机控制。

    - 快速开关速度:FDP52N20具有快速的开关速度,这使其能够在高频率下高效工作。快速开关特性不仅提高了系统效率,还减少了EMI(电磁干扰)问题。

    - 低栅极电荷(Qg):FDP52N20的低栅极电荷特性使其易于驱动,这意味着驱动电路可以更加简单和高效,特别适用于高频开关应用。

    通过以上分析可以看出,FDP52N20凭借其优异的性能参数,在各种高效能、高可靠性的应用场景中都能发挥重要作用。无论是用于开关电源、电机驱动、太阳能逆变器还是UPS不间断电源,FDP52N20都展示出其强大的应用潜力和技术优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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