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场效应MOS管FDP51N25参数

PD最大耗散功率:320WID最大漏源电流:51AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.06ΩVRDS(ON)ld通态电流:25.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP51N25是一款常用于功率开关和电源管理的MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:FDP51N25在开关电源和DC-DC变换器中能够有效地控制电流和电压,提高能量转换效率。

    2. 电机驱动:用于控制电动工具、汽车电子系统中的电机,提供高效的电能传输和管理。

    3. 逆变器:在太阳能电池板和其他可再生能源系统中,FDP51N25帮助实现稳定的能量转换和逆变操作。

    4. 电源管理:在计算机设备、消费电子产品中,FDP51N25用作电源管理单元的一部分,确保稳定的电源输出和过载保护。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:通过优化的结构设计,FDP51N25在导通状态下具有极低的电阻,减少功率损耗和发热,提升能效。

    2. 高耐压能力:具备较高的耐压特性,能够承受较高的电压负载,适用于各种高压环境下的应用。

    3. 快速开关速度:响应速度快,能够快速开关,实现精确的电流和电压控制,适合高频应用。

    4. 热稳定性优良:优化的热管理设计,使得FDP51N25在高负载和高温环境下依然能够保持稳定的性能表现。

    5. 可靠性和耐用性:经过严格的测试和质量控制,保证长期稳定运行和较长的使用寿命。

    综上所述,FDP51N25作为一款高性能的MOSFET,不仅在功率管理和电子控制领域有广泛的应用,其优秀的参数特点也使其成为电子工程师和系统设计师首选的元件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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