收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FDP33N25参数

场效应MOS管FDP33N25参数

PD最大耗散功率:235WID最大漏源电流:33AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.094ΩVRDS(ON)ld通态电流:16.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FDP33N25是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和逆变器等电源管理系统中,FDP33N25用于高效的电能转换,提升系统的能效并减少能量损耗。

    2. 电机驱动:FDP33N25在电机驱动控制中,用于调节和控制电机的运行状态,包括速度和方向控制。其高开关速度和低导通电阻特性使其适用于高性能电机驱动系统。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FDP33N25被用于逆变器中,将直流电转换为交流电,满足家庭或工业设备的用电需求。

    4. 电池管理系统(BMS):在锂电池和其他类型电池的管理系统中,FDP33N25用于控制充放电过程,确保电池的安全性和延长使用寿命。

    5. 汽车电子:FDP33N25在汽车电子系统中,特别是在电动汽车和混合动力汽车中,用于控制和管理电力系统,提供高效的能源利用和稳定的电力输出。

    二、参数特点:

    - 额定电压和电流:FDP33N25的最大漏源极电压为250V,使其能够在高压环境下可靠工作。FDP33N25的连续漏极电流为33A,这使其能够处理较大的电流负载,适用于高功率应用。

    - 导通电阻(RDS(on)):FDP33N25具有低导通电阻特性,在VGS=10V时,最大导通电阻为47mΩ。低导通电阻有助于降低能量损耗,提高系统的效率。

    - 开关特性:FDP33N25的开关速度快,具有较低的开关损耗。这使其非常适合高频开关电路,如开关电源和DC-DC转换器。

    - 热特性:FDP33N25具有良好的热性能,能够在较高的结温下工作。其最大结温(Tj)为175°C,使其在高温环境中仍能保持稳定的性能。

    - 封装形式:FDP33N25采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能,并且方便安装和集成到各种电路中。

    综上所述,FDP33N25凭借其高电压、高电流、低导通电阻以及优良的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、太阳能逆变器、电池管理系统和汽车电子等领域,成为许多高性能电子设备的关键组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号