收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FDP20N50参数

场效应MOS管FDP20N50参数

PD最大耗散功率:250WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.23ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FDP20N50是一种高性能的场效应管(MOSFET),广泛应用于多种电子和电力转换设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FDP20N50常用于开关电源中,因其高效的电流开关特性和低导通电阻,使其在高频开关操作中表现出色,提升了电源的效率和稳定性。

    2. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FDP20N50被用来快速切换电流路径,以确保在电力中断时能够迅速提供备用电源。这种快速响应能力是保障UPS系统可靠性的关键。

    3. 电动汽车(EV):在电动汽车的动力管理系统中,FDP20N50用于控制电池的充放电过程,其高电流处理能力和耐高压特性使其非常适合这类应用,能够提高电动汽车的能效和续航能力。

    4. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要高效能的MOSFET来处理从太阳能电池板产生的直流电转化为交流电的过程。FDP20N50由于其高效、耐用的特性,是这一领域的理想选择。

    5. 工业电机驱动:FDP20N50在工业电机驱动中也有广泛应用,尤其是在需要精确控制和高效能的场合。其能够承受高电流和高电压,确保了电机的平稳运行和长时间使用寿命。

    二、参数特点:

    - 电压和电流处理能力:FDP20N50具有500V的漏源电压(Vds)和20A的连续漏极电流(Id),这使得它能够在高压和大电流环境下可靠运行,适用于需要处理大功率的应用场景。

    - 低导通电阻:该器件的导通电阻(Rds(on))非常低,仅为0.27欧姆(最大值),这意味着在导通状态下,FDP20N50能够有效降低功耗和热量生成,从而提高系统的效率。

    - 快速开关速度:FDP20N50的开关速度快,其典型的上升时间和下降时间分别为30ns和20ns。这使得它在高频开关应用中表现卓越,能够显著提高系统的开关效率。

    - 热特性:FDP20N50具有良好的热性能,其结温范围为-55°C至150°C,并具有出色的热阻(结到壳)为0.63°C/W。这意味着它在高温环境下仍能保持稳定的性能,适合长时间、高负载的工作条件。

    - 封装形式:FDP20N50采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能,易于安装和连接,适合各种电路板设计。

    综上所述,FDP20N50凭借其高电压、高电流处理能力,低导通电阻,快速开关速度,以及优良的热性能,成为了开关电源、UPS、电动汽车、太阳能逆变器和工业电机驱动等多种应用中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号