PD最大耗散功率:214WID最大漏源电流:19AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:0.24ΩVRDS(ON)ld通态电流:9.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 开关电源:FDP20N40通常作为开关元件,因其高效的开关性能和低导通电阻,可以有效地提高电源的效率并减少热量损耗。
2. 电机驱动:FDP20N40在电机驱动电路中用作功率开关元件,能够提供足够的电流和电压来驱动电机,同时保证系统的稳定性和可靠性。
3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,FDP20N40用于将直流电转换为交流电,其高效率和高耐压特性使其能够在高功率应用中表现出色。
4. 不间断电源(UPS):FDP20N40被广泛应用于UPS系统中,负责高效地管理电力转换和分配,确保在电力中断时能提供持续的电力供应。
5. 电动工具:在电动工具的控制电路中,FDP20N40由于其快速开关速度和高电流处理能力,能够确保工具的高性能和长寿命。
二、参数特点:
- 最大漏源电压(Vds):FDP20N40的最大漏源电压为400V,这使得它能够在高压环境下工作,适用于高电压转换和控制应用。
- 最大漏极电流(Id):在25°C环境温度下,FDP20N40的最大漏极电流为20A,能够处理较大的电流负载,适合大功率设备的应用需求。
- 导通电阻(Rds(on):FDP20N40的典型导通电阻为0.18Ω,较低的导通电阻意味着在开关过程中损耗较小,提高了整体效率。
- 栅极电荷(Qg):FDP20N40的栅极总电荷为85nC,较低的栅极电荷有助于提高开关速度,降低开关损耗,适用于高频率应用。
- 热阻(RθJC):FDP20N40的结壳热阻为0.94°C/W,这表明它具有良好的热性能,能够在高功率应用中有效散热,维持可靠的工作状态。
综上所述,FDP20N40是一款性能优越且适用范围广泛的N沟道功率MOSFET,能够满足各种高效能、高可靠性的应用需求。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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