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场效应MOS管FDP150N10A参数

PD最大耗散功率:91WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.015ΩVRDS(ON)ld通态电流:50AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP150N10A是一款高性能的N沟道功率MOSFET(场效应管),其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FDP150N10A常被用作高效开关元件。其低导通电阻和快速开关速度,使其在高频应用中表现出色,能够有效减少开关损耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动:由于其高电流处理能力和低导通电阻,FDP150N10A非常适合用于电机驱动器中。它能够承受较大的电流和电压,确保电机在高负载下稳定运行。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器应用中,FDP150N10A的高效率和低损耗特性,使其能够在高功率转换中发挥重要作用,帮助实现太阳能的高效利用和转换。

    4. 电动工具:FDP150N10A由于其坚固的设计和优异的散热性能,广泛应用于各种电动工具中,如电钻、电锯等。这些工具要求元件具有高可靠性和高性能,以应对频繁的启动和停止操作。

    5. 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,FDP150N10A可以用于控制充电和放电过程,确保电池的安全性和寿命。其高电流处理能力和低导通电阻能够有效提高系统的可靠性和效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDP150N10A的导通电阻非常低,仅为4.5毫欧(典型值),这意味着它在导通状态下的能量损耗极低,有助于提高整体电路的效率。

    - 高电流处理能力:FDP150N10A能够处理高达150安培的连续漏极电流,峰值脉冲电流更是可达600安培,适用于需要大电流的应用场景。

    - 耐高压:FDP150N10A的漏源极电压(VDS)高达100伏,这使其能够在高压环境下稳定工作,适用于多种高压应用。

    - 快速开关速度:FDP150N10A具备快速的开关特性,其典型的开关时间在纳秒级别。这使其在高频应用中能有效减少开关损耗,提升整体系统的效率。

    - 坚固的热性能:FDP150N10A的结温最高可达175摄氏度,并且其热阻非常低,这意味着它具有良好的散热性能,能够在高温环境下长期稳定工作。

    综上所述,FDP150N10A通过其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压、快速开关速度和优异的热性能,成为了许多高性能电力电子系统的首选元件。其广泛的应用场景和出色的参数特点,使得FDP150N10A在各种电子设备中发挥着不可替代的作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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