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场效应MOS管FDP12N50NZ参数

PD最大耗散功率:170WID最大漏源电流:11.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.52ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP12N50NZ是一种N沟道场效应管(MOSFET),常用于各种电源和功率控制电路中。它具有以下应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源供应器件:FDP12N50NZ常用于开关电源、逆变器和DC-DC转换器等电源电路中。其低导通电阻和高开关速度使其成为高效能的电源开关器件。

    2. 电机驱动:在电机控制领域,FDP12N50NZ也被广泛应用。它可以用作马达驱动器中的功率开关,控制电机的启停和速度。

    3. 照明应用:由于其高效能和可靠性,FDP12N50NZ也被用于LED照明驱动电路中,包括LED灯和照明系统的电源和调光控制。

    4. 电源管理:在各种电源管理电路中,如电池充电器和电池保护电路中,FDP12N50NZ可以作为功率开关器件,实现高效的能量转换和管理。

    5. 汽车电子:由于其高功率特性和可靠性,FDP12N50NZ还可用于汽车电子系统中,如电动汽车的电动机控制、电池管理和充电系统。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on))FDP12N50NZ在通态时,具有低导通电阻,能够降低功率损耗,提高效率。

    2. 高电流承受能力FDP12N50NZ能够承受较高的电流,适用于要求高功率输出的应用场景。

    3. 高耐压特性:作为功率器件,FDP12N50NZ具有较高的耐压特性,能够应对高电压环境下的工作。

    4. 快速开关速度FDP12N50NZ具有快速的开关速度,有助于提高开关电源和逆变器的性能。

    5. 温度稳定性FDP12N50NZ在不同温度下的性能稳定性较好,适用于各种工作环境和温度条件下的应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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