PD最大耗散功率:165WID最大漏源电流:11.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.65ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 开关电源(SMPS):FDP12N50常用于开关电源中,尤其是AC-DC和DC-DC转换器。它的高电压和高效率特性使其在这些应用中表现优异,能够有效减少能量损失,提高系统的整体效率。
2. 电机驱动:在电机驱动领域,FDP12N50被广泛应用于电机控制电路中。其快速开关速度和低导通电阻使得电机的启动和运行更加高效,同时降低了热损耗和能耗。
3. 逆变器:FDP12N50适用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中。其高耐压特性和高开关频率能力使其能够在这些应用中稳定运行,确保电力转换过程的高效和可靠。
4. 照明系统:在现代高效照明系统中,FDP12N50被用于电子镇流器和LED驱动电路中。其高效的电流处理能力和耐用性使其在照明系统中发挥重要作用,提供稳定的电源支持。
5. 工业控制:工业控制系统需要可靠的功率元件来控制各种设备和系统。FDP12N50由于其高可靠性和耐用性,被广泛应用于各种工业控制电路中,确保系统运行的稳定性和安全性。
二、参数特点:
- 耐压能力:FDP12N50的漏源极耐压(Vds)高达500V,这使其能够在高压应用环境中安全工作,适用于各种需要高耐压的应用场景。
- 导通电阻:FDP12N50的导通电阻(Rds(on))非常低,典型值为0.55欧姆。低导通电阻意味着更低的导通损耗和更高的效率,这是其在高效能量转换应用中受欢迎的主要原因之一。
- 开关速度:该器件的开关速度非常快,这得益于其较低的栅极电荷(Qg)。FDP12N50的快速开关特性使其在高频率的开关应用中具有显著优势,能够提高系统的响应速度和效率。
- 热性能:FDP12N50具有良好的热性能,最大连续漏极电流(Id)为12A,并且能够在较高的结温下工作。这使其在高功率应用中具有良好的可靠性和稳定性。
- 封装类型:FDP12N50采用TO-220封装,这种封装具有良好的散热性能和机械强度,适合各种严苛的应用环境,能够确保器件在高温和高负载条件下稳定运行。
综上所述,FDP12N50凭借其出色的电气特性和广泛的应用场景,成为功率MOSFET中的一款重要器件。无论是在开关电源、电机驱动、逆变器、照明系统还是工业控制中,FDP12N50都展现出其卓越的性能和可靠性。
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