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场效应MOS管FDP10N60NZ参数

PD最大耗散功率:185WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.75ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP10N60NZ是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电源和电力转换场景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDP10N60NZ常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器等电源管理系统中。由于其低导通电阻和高开关速度,使其在这些系统中能够有效地降低能耗,提高效率。

    2. 不间断电源(UPS):在不间断电源系统中,FDP10N60NZ作为关键元件,确保系统在断电时能迅速切换到电池供电状态,保证供电的连续性和稳定性。

    3. 电机驱动:FDP10N60NZ被广泛应用于各种电机驱动电路中,包括无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动。这是因为它能够提供高效的电流控制和快速的开关响应。

    4. 照明系统:在LED照明和HID(高强度放电)灯中,FDP10N60NZ作为功率开关器件,帮助实现高效的能量转换和稳定的照明控制。

    5. 工业控制:在各种工业控制系统中,FDP10N60NZ被用作功率控制器件,用于控制加热元件、电机和其他高功率设备,确保系统的可靠性和精确性。

    二、参数特点:

    - 耐压特性:FDP10N60NZ的最大漏源电压(Vds)为600V,确保其能够在高压环境下稳定工作,不易因电压过高而损坏。

    - 导通电阻:FDP10N60NZ的典型导通电阻(Rds(on))为0.85Ω,这使得其在工作时具有较低的导通损耗,从而提高整体效率。

    - 电流能力:FDP10N60NZ的最大连续漏极电流(Id)为10A,能够满足大部分电力转换和控制系统的电流需求。

    - 开关速度:FDP10N60NZ具有快速的开关速度,其典型的开关时间为几十纳秒级别,能够在高频应用中提供优异的性能。

    - 热性能:FDP10N60NZ具有良好的热性能,其结温(Tj)最高可达150°C,确保在高温环境下仍能保持可靠的运行。

    综上所述,FDP10N60NZ凭借其出色的电气性能和广泛的应用场景,成为电力电子领域的一个重要器件。无论是在电源管理、不间断电源、电机驱动、照明系统还是工业控制中,FDP10N60NZ都能发挥关键作用,提供高效、稳定的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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