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场效应MOS管FDP090N10参数

PD最大耗散功率:208WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP090N10是一款功率场效应管(MOSFET),常见的应用场景包括但不限于电源管理、电机驱动、照明控制等领域。它具有一系列参数特点,使其在这些场景下表现出色。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDP090N10 在电源管理领域中具有广泛应用。其低导通电阻和高耐压特性使其成为开关电源、DC-DC变换器等应用中的理想选择。

    2. 电机驱动:在电机驱动系统中,FDP090N10的低开通电阻和高频特性使其能够快速开关,实现高效能转换,常被应用于电动汽车控制器、工业机械驱动器等领域。

    3. 照明控制:FDP090N10常用于LED照明系统中,其高效率和可靠性使其成为驱动电路的理想选择,可降低系统功耗,延长LED灯的使用寿命。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:FDP090N10具有较低的导通电阻,能够降低功率损耗,提高效率。

    2. 高耐压特性:FDP090N10的高耐压特性保证了其在高电压环境下的可靠性,适用于各种工作环境。

    综上所述,FDP090N10在电源管理、电机驱动、照明控制等领域具有广泛的应用前景。其低导通电阻、高耐压特性等参数特点使其在这些应用中表现出色,为电子系统提供稳定、高效的性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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