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场效应MOS管FDP085N10A参数

PD最大耗散功率:188WID最大漏源电流:96AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.0085ΩVRDS(ON)ld通态电流:96AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP085N10A是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子电路和设备中。本文将详细介绍FDP085N10A的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDP085N10A常用于电源管理系统中,尤其是在开关电源和直流-直流转换器中。这种功率MOSFET能够高效地处理大电流和高电压转换,确保电源系统的稳定性和高效性。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FDP085N10A被广泛应用于无刷直流电机和步进电机的控制电路中。其低导通电阻和高开关速度能够提高电机的响应速度和效率,同时减少功耗和热量产生。

    3. 汽车电子:FDP085N10A在汽车电子系统中也有广泛应用,如电动助力转向系统(EPS)、电动窗控制、电动座椅调节等。它的高可靠性和耐用性使其在汽车严苛的工作环境中表现出色。

    4. 光伏逆变器:在光伏逆变器系统中,FDP085N10A用于转换直流电为交流电。其高效率和高功率密度能够有效提升光伏系统的整体效率,降低系统损耗。

    5. 通信设备:FDP085N10A还被应用于通信设备中,如基站电源模块和网络服务器的电源管理。这种MOSFET可以确保设备在高频开关状态下的稳定工作,减少信号干扰和功率损耗。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDP085N10A具有极低的导通电阻(RDS(on)),典型值为8.5mΩ。这一特点使其在高电流应用中能够有效减少功率损耗,提升系统效率。

    - 高额定电流和电压:FDP085N10A的额定电流高达80A,最大漏源电压为100V。这使其能够处理高功率应用,适用于各种需要高电流和高电压的场景。

    - 快速开关速度:该MOSFET的开关速度非常快,能够在短时间内完成开关操作,从而减少开关损耗。这一特点在高频开关电源和电机驱动中尤为重要。

    - 高热稳定性:FDP085N10A具备优异的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。其热阻低,有助于快速散热,防止器件过热损坏。

    - 坚固耐用:FDP085N10A采用先进的制造工艺,具备高可靠性和长寿命,能够在各种严苛的工作环境下保持稳定性能,减少维护和更换成本。

    综上所述,FDP085N10A作为一种高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高额定电流和电压、快速开关速度、高热稳定性以及坚固耐用等特点,在电源管理、电机驱动、汽车电子、光伏逆变器和通信设备等领域具有广泛的应用前景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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