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场效应MOS管FDP054N10参数

PD最大耗散功率:263WID最大漏源电流:144AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.0055ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP054N10是一种低压功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效能、低损耗的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDP054N10在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及不间断电源(UPS)中扮演着关键角色。由于其低导通电阻和快速开关特性,使其能够有效地减少功率损耗,提高转换效率。

    2. 电机控制:在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,FDP054N10被用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高效能和耐用性使其能够在高频开关操作中保持稳定。

    3. 汽车电子:FDP054N10广泛应用于汽车电子系统中,如电子控制单元(ECU)、电动座椅调节器、LED照明控制以及电动助力转向系统。其高可靠性和耐高温特性非常适合汽车恶劣的工作环境。

    4. 光伏逆变器:在太阳能光伏发电系统中,FDP054N10用于逆变器电路,实现直流电到交流电的转换。其低损耗和高效率有助于提高整体发电效率。

    5. 消费电子:在电脑主板、显卡和游戏机等消费电子产品中,FDP054N10被用于电源管理和电压调节,以确保设备运行稳定和高效。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDP054N10的导通电阻非常低,典型值仅为0.054Ω。这意味着在相同电流下,其功耗更低,效率更高,适合高效能的电源管理和电机控制应用。

    - 高击穿电压:FDP054N10的最大漏源击穿电压(BVDSS)为100V,这使得它能够在较高电压环境下安全工作,适用于需要高耐压特性的应用场景。

    - 大电流承载能力:该器件的连续漏极电流(ID)为53A,峰值脉冲电流(IDM)可达212A,能够处理较大的电流负载,适合大功率电机和高电流开关电源等应用。

    - 快速开关速度:FDP054N10具有较快的开关速度,开关时间分别为典型值15ns(开通时间)和60ns(关断时间)。这有助于减少开关损耗,提高系统的整体效率,特别适合高频开关电路。

    - 热阻低:该器件的结到环境热阻(RθJA)为62.5°C/W,结到壳热阻(RθJC)仅为1.5°C/W。这使得FDP054N10能够在高功率和高温环境下有效散热,确保稳定运行。

    综上所述,FDP054N10凭借其低导通电阻、高击穿电压、大电流承载能力、快速开关速度和低热阻等优异参数特点,在电源管理、电机控制、汽车电子、光伏逆变器和消费电子等应用中得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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