PD最大耗散功率:375WID最大漏源电流:164AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.0047ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理:FDP047N10在开关电源(SMPS)中发挥重要作用。它用于高效的电源转换,能够承受高电压和高电流,同时保证低导通电阻,从而减少能量损耗并提高系统效率。
2. 马达控制:在马达驱动电路中,FDP047N10用于控制电机的启停和速度调节。由于其快速开关特性和低导通电阻,这款MOSFET能够提供高效的电流控制和能量转换,特别适用于电动工具和电动车的电机驱动。
3. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,FDP047N10作为主要的开关元件,负责在不同电压等级之间高效转换。其低栅极电荷和低导通电阻特性使其能够在高频操作下保持高效率和低热损耗。
4. 电池管理系统:FDP047N10在电池管理系统(BMS)中用于电池组的充放电控制。它能够提供高效的电流管理,保护电池避免过充或过放,同时提升电池组的整体寿命和性能。
5. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,FDP047N10用于直流电压转换为交流电压。其高效的开关能力和低导通损耗使其成为太阳能发电系统中关键的功率器件,有助于提高系统的整体效率。
二、参数特点:
- 低导通电阻(RDS(on)):FDP047N10的最大导通电阻为4.7mΩ,这意味着在导通状态下的电流损耗非常低,有助于提高系统的整体效率并减少热量生成。
- 高电流处理能力:这款MOSFET的连续漏极电流(ID)最大可达120A,能够处理大电流应用,如电动汽车和高功率电源系统。
- 高击穿电压:FDP047N10的漏源击穿电压(VDS)为100V,使其能够在高压环境中稳定工作,适用于需要高电压容限的电源管理和转换系统。
- 低栅极电荷(Qg):其典型栅极电荷为62nC,保证了在高频开关操作中快速响应,降低了驱动损耗,从而提高了整体效率。
- 快速开关速度:FDP047N10的快速开关特性使其在高频操作环境下表现出色,减少了开关损耗,适用于高频DC-DC转换器和逆变器应用。
综上所述,FDP047N10凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、低栅极电荷和快速开关速度,成为电源管理、马达控制、DC-DC转换器、电池管理系统以及太阳能逆变器等领域的理想选择。这些参数和特点使其能够在各种复杂电力电子系统中高效、可靠地工作。
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