PD最大耗散功率:268WID最大漏源电流:164AV(BR)DSS漏源击穿电压:75VRDS(ON)Ω内阻:0.0047ΩVRDS(ON)ld通态电流:80AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理:FDP047N08可用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等电源管理应用。其低导通电阻和高开关速度使其能够有效地控制电源系统的功率转换和效率。
2. 电机驱动:在电机控制领域,FDP047N08可以作为电机驱动器的开关元件,用于控制电机的启停和速度调节。其低导通电阻和高可靠性确保了电机系统的稳定性和效率。
3. 照明应用:在LED照明系统中,FDP047N08可用于LED驱动电路的开关控制,实现LED灯的亮度调节和开关控制,从而提高照明系统的能效和稳定性。
二、参数特点:
1. 低导通电阻:FDP047N08具有低导通电阻,能够在导通状态下提供较小的功率损耗,从而提高整体系统的效率。
2. 高耐压能力:该器件具有较高的耐压能力,能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。
3. 快速开关特性:FDP047N08具有快速的开关特性,能够在短时间内完成通断操作,适用于要求快速响应的电路控制应用。
4. 低门极电荷:门极电荷较低,有助于减小开关时的功率损耗和提高开关速度。
5. 可靠性高:FDP047N08采用优质材料和先进工艺制造,具有良好的稳定性和可靠性,适用于长期稳定运行的工业应用。
通过以上分析,FDP047N08作为一款高性能的功率MOSFET,在电源管理、电机驱动和照明应用等领域具有广泛的应用前景,并且其低导通电阻、高耐压能力、快速开关特性、低门极电荷和高可靠性等参数特点,使其成为这些应用领域的理想选择。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
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