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场效应MOS管FDP045N10A参数

PD最大耗散功率:263WID最大漏源电流:164AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.0045ΩVRDS(ON)ld通态电流:100AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP045N10A是一款性能优异的功率MOSFET,其在各种应用场景中得到了广泛应用。本文将详细介绍FDP045N10A的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDP045N10A常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。其低导通电阻和高效的开关性能使其成为这些应用中的理想选择,能够有效地降低功耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,FDP045N10A能够提供高电流承载能力和快速开关速度,这对于提高电机的响应速度和精度具有重要作用。同时,它的低导通电阻也有助于减少电机运行时的热损耗。

    3. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,FDP045N10A常用于驱动各种负载,如继电器、阀门和加热器等。其坚固的设计和可靠的性能确保了在苛刻的工业环境中能够长期稳定运行。

    4. 电动汽车(EV):随着电动汽车的发展,FDP045N10A在电动汽车的电池管理系统和电动驱动系统中得到了应用。其高效的电流传输能力和可靠性使其能够满足电动汽车对功率器件的高要求。

    5. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,FDP045N10A常用于逆变器中,将直流电转换为交流电。其高效的转换效率和低热量产生使其能够在提高光伏系统整体效率方面发挥重要作用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDP045N10A的导通电阻(R_DS(on))仅为4.5毫欧,这意味着在通过大电流时产生的压降和功耗较低,有助于提高系统的能效。

    - 高电流承载能力:该MOSFET能够承受高达100安培的连续电流,这使其在需要高电流的应用中表现出色,如电机驱动和电源管理。

    - 耐高压:FDP045N10A的漏源极电压(V_DS)额定值为100伏,这使其能够在较高电压环境下安全工作,适用于多种高压应用场景。

    - 快速开关速度:其栅极电荷(Q_g)较低,仅为90纳库伦,这意味着FDP045N10A能够以高频率快速开关,有助于提高开关电源和逆变器的效率。

    - 可靠性和稳健性:FDP045N10A采用了先进的封装技术和设计,具有优异的热性能和电气性能,能够在严苛的工作环境中保持可靠运行。

    综上所述,FDP045N10A凭借其低导通电阻、高电流承载能力、耐高压、快速开关速度及可靠性等优异特性,广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制、电动汽车和光伏逆变器等多个领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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