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场效应MOS管FDP036N10A参数

PD最大耗散功率:333WID最大漏源电流:214AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.0036ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP036N10A是一种常用的功率MOSFET(场效应晶体管),其在各种应用场景中表现出色。本文将详细介绍FDP036N10A的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDP036N10A在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中非常常见。这些电源管理系统需要高效的功率转换和低导通电阻,而FDP036N10A恰好在这些方面表现优异。其低导通电阻能够减少功率损耗,提高电源效率。

    2. 电机控制:在电动车和工业电机控制系统中,FDP036N10A被广泛应用。其快速的开关速度和高电流处理能力使其能够有效控制电机的启动和停止,提供平稳的操作和高效的能量使用。

    3. 太阳能逆变器:FDP036N10A在太阳能光伏系统中的逆变器部分也得到了广泛应用。这些系统需要将直流电转换为交流电,而FDP036N10A的高效率和可靠性正好满足这一需求,确保系统的长期稳定运行。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FDP036N10A用于电池管理和逆变器部分,保证在停电时能够迅速切换到电池供电。其快速响应和高可靠性是UPS系统稳定性的关键。

    5. 通信设备:在基站和服务器电源中,FDP036N10A也发挥着重要作用。这些设备需要高效、可靠的电源管理,而FDP036N10A的性能特点正好满足了这一需求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDP036N10A的导通电阻仅为3.6mΩ,这意味着在导通状态下,电流通过晶体管时的损耗非常低。这一特点使其非常适合用于需要高效率的电源管理和转换应用中。

    - 高电流处理能力:FDP036N10A能够处理高达180A的连续电流,使其能够应用于高电流需求的系统中,如电机控制和大功率电源系统。

    - 低栅极电荷(Qg):其典型栅极电荷为160nC,较低的栅极电荷意味着MOSFET可以更快速地开关,从而提高系统的开关效率和减少开关损耗。

    - 耐高压能力:FDP036N10A具有100V的耐压能力,能够在高压环境中稳定工作,适用于如太阳能逆变器和UPS系统等需要高压操作的应用场景。

    - 热性能优异:FDP036N10A具有良好的热性能,其热阻(RθJC)仅为0.5°C/W,这使得其在高功率应用中能够有效散热,保证器件的稳定性和寿命。

    综上所述,FDP036N10A凭借其低导通电阻、高电流处理能力、低栅极电荷、耐高压能力和优异的热性能,在电源管理、电机控制、太阳能逆变器、不间断电源和通信设备等应用场景中表现出色。这些参数特点确保了FDP036N10A在各种高效能和高可靠性要求的系统中成为首选。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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