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场效应MOS管FDP023N08B参数

PD最大耗散功率:245WID最大漏源电流:242AV(BR)DSS漏源击穿电压:75VRDS(ON)Ω内阻:0.00235ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~2.8VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP023N08B是一种N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDP023N08B常用于电源管理系统中,特别是DC-DC转换器和电压调节器。这种MOSFET的低导通电阻使其在高效率电源设计中非常适用,能够有效减少能量损耗和提高转换效率。

    2. 电机控制:在工业和消费电子中的电机控制应用中,FDP023N08B被用作开关元件。其快速开关特性和高可靠性使其在精确控制和调速方面表现优异,适用于电动工具、家用电器和自动化设备。

    3. 负载开关:FDP023N08B适用于各种负载开关应用,如智能电表和电源分配单元(PDU)。其低导通电阻和高电流处理能力使其在这些场景中可以提供高效和可靠的电力控制。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,FDP023N08B被用作逆变器的开关元件。其高效的开关性能和低能耗特点,使其能够在高频应用中提供优异的表现,从而提高系统的整体效率。

    5. 汽车电子:在汽车电子中,FDP023N08B用于控制电源和电机驱动系统。其高可靠性和耐用性在汽车环境中表现出色,能够满足苛刻的操作条件和长时间的使用需求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDP023N08B的典型导通电阻为0.023欧姆(@10V),这使其在开关状态下具有极低的电能损耗,从而提高系统效率。

    - 高电流处理能力:FDP023N08B具备高达80A的连续漏极电流处理能力(@25°C),使其能够在高电流应用中稳定运行,适用于需要大电流传输的场景。

    - 高耐压:该器件的漏源极电压(Vds)为80V,使其适合用于高压应用中,能够在高电压环境下安全运行而不易发生击穿。

    - 快速开关速度:FDP023N08B具有低栅极电荷(Qg典型值为68nC),这使其能够快速开关,从而在高频应用中表现出色,提高电路的整体速度和效率。

    - 热性能优异:FDP023N08B的热阻(RθJC)为1.0°C/W,这意味着其具有良好的散热性能,能够在高功率应用中有效散热,保证器件的长期可靠性和稳定性。

    综上所述,FDP023N08B凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高耐压、快速开关速度和优异的热性能,成为各类电子应用中的理想选择。这些特点使得FDP023N08B能够在电源管理、电机控制、负载开关、太阳能逆变器和汽车电子等多个领域中广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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