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场效应MOS管FDP020N06B参数

PD最大耗散功率:333WID最大漏源电流:313AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.002ΩVRDS(ON)ld通态电流:100AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP020N06B是一款N沟道MOSFET,广泛应用于各种电源管理和切换电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FDP020N06B在开关电源中,可以用作主开关元件,由于其低导通电阻和高开关速度,能够提高电源的效率和可靠性。

    2. 电机控制:在直流电机控制电路中,FDP020N06B常用于H桥电路的开关元件,能够有效控制电机的启动、停止和调速,保证电机运行的稳定性和精确性。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FDP020N06B可作为逆变器中的关键开关器件,其高效能和低损耗特性,使得整个系统的转换效率大幅提升。

    4. 电动汽车充电器:FDP020N06B也被广泛应用于电动汽车充电器中,其高耐压和大电流处理能力能够满足高功率充电的需求,提升充电速度和安全性。

    5. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FDP020N06B用于逆变器和转换开关,确保在电网断电时能够快速切换到电池供电,保证设备的连续运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDP020N06B的典型导通电阻为2.0mΩ,这意味着在高电流通过时,产生的功耗较低,从而提升了整体系统的效率。

    - 高耐压特性:该MOSFET的最大漏源极电压(Vds)为60V,能够在较高电压环境下稳定工作,适应各种工业和消费电子应用的需求。

    - 大电流处理能力:FDP020N06B的连续漏极电流(Id)可以达到80A,瞬间脉冲电流则更高,适合需要大电流传输的应用场景,如电机驱动和电源管理。

    - 高开关速度:由于其设计优化,FDP020N06B具有较短的开关时间,这有助于在高频率操作下保持高效能,减少开关损耗。

    - 低栅极电荷:FDP020N06B的典型栅极电荷(Qg)为47nC,这使得其在切换过程中需要较低的驱动能量,有助于降低控制电路的复杂性和能耗。

    综上所述,FDP020N06B凭借其低导通电阻、高耐压、大电流处理能力、高开关速度和低栅极电荷等特点,在各类电源管理、电机控制和逆变器等应用中表现出色,成为众多设计工程师的优选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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