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场效应MOS管FDD8880参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:58AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通态电流:35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.2~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD8880是一款常见的功率场效应晶体管(MOSFET)型号,它在各种电子设备和电路中都有广泛的应用。下面将详细介绍它的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:FDD8880在电源管理电路中扮演重要角色。它可用于开关电源、逆变器和DC-DC转换器等电源拓扑结构中,用以控制功率流动。

    2. 消费电子:电机驱动是另一个常见的应用场景。FDD8880可用作电机控制器中的开关器件,控制电机的启停和速度。

    3. 汽车电子:电动车辆(EV)和混合动力车辆(HEV)中的电力管理系统也经常使用FDD8880。它能够提供高效的功率转换和电池管理。

    4. 工业应用:FDD8880还可在LED照明系统中找到应用,用于控制LED驱动电流,实现亮度调节和节能功能。

    5. 其他领域:最后,它也常见于工业自动化控制系统中,用于控制各种类型的负载和执行器。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):FDD8880具有低导通电阻,能够在导通状态时提供较小的功耗,提高系统效率。

    2. 高耐压能力(VDS):它具有较高的耐压能力,可在各种工作条件下保持稳定的性能,确保系统的可靠性。

    3. 高开关速度:具备快速的开关特性,能够迅速响应控制信号,提高系统的动态响应能力。

    4. 温度稳定性好:其参数在不同温度下变化较小,能够在广泛的工作温度范围内保持稳定的性能。

    5. 封装形式多样:FDD8880可提供不同的封装形式,如TO-220、TO-252等,满足不同应用场景的安装需求。

    综上所述,FDD8880作为一款性能稳定、应用广泛的功率MOSFET型号,在电源管理、电机驱动、LED照明等领域都具有重要作用,并且其优秀的参数特点使其成为许多电子系统设计的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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