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场效应MOS管FDD8647L参数

PD最大耗散功率:43WID最大漏源电流:42AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通态电流:13AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD8647L是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FDD8647L常用作主功率开关管。由于其低导通电阻和快速开关特性,可以提高电源的转换效率,降低能量损耗,提升整体性能。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,FDD8647L可以用作驱动开关,控制电机的启动、停止和速度调节。其高效的电流处理能力和耐压特性,使其适用于各种直流和交流电机的控制。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,FDD8647L用于直流到交流的转换过程,确保系统的高效能量传递。其高开关速度和低损耗特性有助于提高逆变器的整体效率。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,FDD8647L可以用于电池组的充放电控制,确保电池的稳定工作和延长使用寿命。其低导通电阻有助于减少热量生成,提升系统的可靠性。

    5. 消费电子:在智能手机、平板电脑等消费电子设备中,FDD8647L用于电源管理模块,帮助设备实现高效能量利用和热管理,延长电池续航时间。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDD8647L具有极低的导通电阻,典型值为4.5mΩ。这意味着在导通状态下,它的能量损耗很低,可以有效提高系统的整体效率。

    - 高击穿电压:FDD8647L的击穿电压为30V,能够在各种电力应用中提供足够的电压余量,确保其在高压环境下的稳定运行。

    - 快速开关速度:FDD8647L的开关速度非常快,这对高频应用(如开关电源)尤为重要。快速开关特性不仅可以提高系统效率,还可以减少开关损耗。

    - 低栅极电荷(Qg):FDD8647L的栅极电荷低至13nC,这使得其在开关过程中所需的驱动能量较少,有助于提高驱动电路的效率和响应速度。

    - 高可靠性:FDD8647L采用先进的工艺制造,具有高可靠性和长寿命,适用于长时间连续工作的工业和消费电子设备。

    综上所述,FDD8647L凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为各种电力电子设备中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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