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场效应MOS管FDD86252参数

PD最大耗散功率:89WID最大漏源电流:42AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.052ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD86252是一款常用于电子电路中的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要应用场景包括:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDD86252常用于电源管理系统中,尤其在开关电源和直流-直流转换器中。这种场景中,该器件能够有效提高电源的转换效率,减少能量损耗。

    2. 电动汽车:在电动汽车中,FDD86252被用于电池管理系统和电动机控制器中。这种应用要求高效的功率转换和可靠的电流处理能力,FDD86252能够满足这些要求。

    3. 消费电子产品:在智能手机、平板电脑等消费电子产品中,FDD86252用于充电管理和电源分配。这类应用场景要求器件具有低功耗和高效率,以延长电池寿命。

    4. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,FDD86252被用于电机驱动和负载控制。这些系统需要高可靠性和高效率的功率器件,FDD86252正是一个理想的选择。

    5. 通信设备:在通信基站和网络设备中,FDD86252用于稳压器和功率放大器。这类设备需要稳定的电源管理,以确保通信质量和设备寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDD86252的导通电阻极低,典型值为2.9 mΩ(在VGS = 10V时)。低导通电阻意味着在导通状态下的能量损耗小,转换效率高。

    - 高电流处理能力:FDD86252能够处理高达80A的连续电流,这使其适用于高电流需求的应用,如电动汽车和工业控制系统。

    - 快速开关速度:FDD86252具有快速的开关速度,这在高频率开关电源和高效直流-直流转换器中尤为重要。快速的开关速度可以减少开关损耗,提升整体效率。

    - 耐高压特性:FDD86252的漏源击穿电压(BVDSS)为40V,能够承受较高的电压冲击,适用于多种需要高耐压的电源管理系统。

    - 热性能优越:FDD86252具有良好的热性能,热阻值低。这意味着在高功率应用中,该器件能够有效散热,保持稳定的工作温度,提高系统的可靠性和寿命。

    综上所述,FDD86252是一款性能卓越的功率MOSFET,其低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度、耐高压特性以及优越的热性能,使其在电源管理、电动汽车、消费电子、工业控制和通信设备等多种应用场景中得到广泛使用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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