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场效应MOS管FDD86250参数

PD最大耗散功率:132WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.022ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD86250是一款高效N沟道MOSFET,广泛应用于需要高功率密度和可靠性的电源管理和开关应用。

    一、应用场景

    1. 开关电源:FDD86250实现高效的电源转换,广泛应用于各类开关电源,特别是服务器电源和工业电源。

    2. 电动工具:在电动工具中,采用FDD86250作为主开关管,保证电流控制可靠,支撑系统长期稳定运行。

    3. DC-DC转换器:该器件适用于高效DC-DC转换器电路,具有低导通电阻,可降低转换损耗,提高系统效率。

    4. 电池管理系统:FDD86250可用于电池管理系统,支持充放电电路快速响应,有利于延长电池寿命。

    5. 电机驱动:在电机控制中,广泛采用MOSFET作为驱动器件,为电机提供稳定的动力,适应复杂的工作环境。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:FDD86250的导通电阻较低,可以有效降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。

    - 高耐压:器件具有高耐压值,适用于高压电路,能抵抗电路中的瞬态电压浪涌。

    - 开关速度快:开关速度快,适用于需要高频开关的电路,以降低动态功耗。

    - 大电流容量:FDD86250可连续承载大漏电流,适合大功率应用场景。

    - 优异的热性能:该MOSFET热阻低,散热性能优异,即使在大功率工作条件下也能保持稳定。

    总的来说,FDD86250优异的参数特性和广泛的应用场景使其成为电源和高性能器件高效设计的重要器件,为优化器件性能提供重要支撑。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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