收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FDD7N25LZ参数

场效应MOS管FDD7N25LZ参数

PD最大耗散功率:56WID最大漏源电流:6.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FDD7N25LZ是一款常见的场效应管(MOSFET),在许多电子应用中发挥着关键作用。本文将详细介绍FDD7N25LZ的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在电源管理系统中,FDD7N25LZ经常用于开关模式电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)。由于其高效的开关特性和低导通电阻,这款MOSFET能够有效地降低功率损耗,提高系统的整体效率。

    2. 马达驱动:FDD7N25LZ在马达驱动应用中也十分常见,尤其是在无刷直流电机(BLDC)控制器中。其快速的开关速度和高电流处理能力使其能够稳定地驱动马达,同时减少能量损耗。

    3. 工业自动化:在工业自动化领域,FDD7N25LZ常用于各种控制电路中,如PLC(可编程逻辑控制器)和HMI(人机界面)设备的驱动电路。其高可靠性和耐用性使其适合在严苛的工业环境中运行。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和便携式设备的电池管理系统中,FDD7N25LZ用于电池保护和电量监控。其低导通电阻特性有助于延长电池寿命并提高充放电效率。

    5. 消费电子:在消费电子领域,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,FDD7N25LZ被用作电源开关和负载开关,以确保设备的稳定运行和高效能量管理。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDD7N25LZ的导通电阻仅为0.03欧姆,这意味着在同等电流下,它会产生更少的热量和功率损耗。这一特性非常重要,特别是在需要高效能量传输的应用中。

    - 高额定电流:该器件的最大额定电流为7A,这使得FDD7N25LZ能够处理较大的负载,适用于需要高电流的应用场景,如马达驱动和电源管理系统。

    - 高击穿电压:FDD7N25LZ的击穿电压为250V,这使其能够在高电压环境下安全运行,适用于需要高耐压能力的电路设计。

    - 快速开关速度:FDD7N25LZ的开关时间非常短,这有助于提高电路的响应速度和效率,特别是在高频率的开关应用中,如开关电源和逆变器。

    - 热性能优越:该器件具有较低的热阻(结到环境的热阻为62.5°C/W),这意味着FDD7N25LZ能够有效地散热,保持低温运行,从而提高可靠性和使用寿命。

    综上所述,FDD7N25LZ是一款性能卓越的MOSFET,适用于多种应用场景,包括电源管理、马达驱动、工业自动化、电池管理系统和消费电子。其低导通电阻、高额定电流、高击穿电压、快速开关速度和优越的热性能使其成为许多电子工程师的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号