PD最大耗散功率:56WID最大漏源电流:6.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理:在电源管理系统中,FDD7N25LZ经常用于开关模式电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)。由于其高效的开关特性和低导通电阻,这款MOSFET能够有效地降低功率损耗,提高系统的整体效率。
2. 马达驱动:FDD7N25LZ在马达驱动应用中也十分常见,尤其是在无刷直流电机(BLDC)控制器中。其快速的开关速度和高电流处理能力使其能够稳定地驱动马达,同时减少能量损耗。
3. 工业自动化:在工业自动化领域,FDD7N25LZ常用于各种控制电路中,如PLC(可编程逻辑控制器)和HMI(人机界面)设备的驱动电路。其高可靠性和耐用性使其适合在严苛的工业环境中运行。
4. 电池管理系统:在电动汽车和便携式设备的电池管理系统中,FDD7N25LZ用于电池保护和电量监控。其低导通电阻特性有助于延长电池寿命并提高充放电效率。
5. 消费电子:在消费电子领域,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,FDD7N25LZ被用作电源开关和负载开关,以确保设备的稳定运行和高效能量管理。
二、参数特点:
- 低导通电阻:FDD7N25LZ的导通电阻仅为0.03欧姆,这意味着在同等电流下,它会产生更少的热量和功率损耗。这一特性非常重要,特别是在需要高效能量传输的应用中。
- 高额定电流:该器件的最大额定电流为7A,这使得FDD7N25LZ能够处理较大的负载,适用于需要高电流的应用场景,如马达驱动和电源管理系统。
- 高击穿电压:FDD7N25LZ的击穿电压为250V,这使其能够在高电压环境下安全运行,适用于需要高耐压能力的电路设计。
- 快速开关速度:FDD7N25LZ的开关时间非常短,这有助于提高电路的响应速度和效率,特别是在高频率的开关应用中,如开关电源和逆变器。
- 热性能优越:该器件具有较低的热阻(结到环境的热阻为62.5°C/W),这意味着FDD7N25LZ能够有效地散热,保持低温运行,从而提高可靠性和使用寿命。
综上所述,FDD7N25LZ是一款性能卓越的MOSFET,适用于多种应用场景,包括电源管理、马达驱动、工业自动化、电池管理系统和消费电子。其低导通电阻、高额定电流、高击穿电压、快速开关速度和优越的热性能使其成为许多电子工程师的首选器件。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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