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场效应MOS管FDD770N15A参数

PD最大耗散功率:56.8WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.077ΩVRDS(ON)ld通态电流:12AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD770N15A是一种常见的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDD770N15A常用于DC-DC转换器和电源适配器中,以提高电源转换效率和稳定性。它的低导通电阻和快速开关特性使其在这些应用中表现出色。

    2. 电机控制:在电动车、无人机和工业机器人等设备中,FDD770N15A可用作电机驱动器,提供高效的电流控制和能量转换。

    3. 光伏逆变器:FDD770N15A也适用于太阳能光伏系统中的逆变器部分,通过高效的能量转换,帮助提高太阳能系统的整体效率。

    4. 电池管理系统:在锂电池管理系统中,FDD770N15A用于控制充放电过程,确保电池的安全和长寿命。

    5. 负载开关:在各种电子设备中,FDD770N15A可用作高效的负载开关,实现快速切换和能量管理。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDD770N15A的最大导通电阻为15毫欧,意味着在导通状态下,它的能量损耗较低,有助于提高系统的效率。

    - 高电流处理能力:它可以处理高达70安培的连续电流,适合需要大电流的应用,如电机驱动和大功率电源管理。

    - 耐高压特性:FDD770N15A的最大漏源电压(VDS)为150伏特,使其适用于高压应用场景,增加了应用的广泛性和灵活性。

    - 快速开关速度:由于其低栅极电荷(Qg),FDD770N15A能够实现快速的开关速度,这在高频应用中非常重要,有助于降低开关损耗和电磁干扰。

    - 热性能优越:FDD770N15A具有良好的热性能,其结-壳热阻(RthJC)较低,能有效散热,保证器件在高温工作环境下的稳定性和可靠性。

    综上所述,FDD770N15A作为一种性能优越的N沟道功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压特性、快速开关速度和优越的热性能,广泛应用于电源管理系统、电机控制、光伏逆变器、电池管理系统以及负载开关等多个领域。这些特点使其在实际应用中能够提供高效、稳定和可靠的性能表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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